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MiniLED专题研究报告
一、MiniLED前道制造工艺与设备介绍
1.1LED芯片前道制造包括衬底、外延和芯片加工三大环节
LED芯片制造包括三大环节：
①衬底。LED芯片通常使用蓝宝石衬底，流程包括蓝宝石晶体
生长、切片、抛光等。
②外延。在蓝宝石衬底上生长不同特性的GaN外延层，形成
PN结。这是LED芯片最核心的环节。
③芯片加工：在外延片上通过光刻、刻蚀、溅射、蒸镀等工艺
形成最终的芯片结构。具体包括：
刻蚀。通过ICP刻蚀，将N型GaN台面暴露出来，形成PN结台
阶。
溅射。在P台面上溅射蒸镀一层电流扩展层，实现更好的导电性
（N-GaN导电性良好，无需此步骤）。
蒸镀。LED芯片需要使用金属作为电极与焊接介质，通常通过蒸
镀工艺形成金属电极。
光刻：上述步骤均需要光刻来实现图形化，使LED的不同层有序
沉积或暴露。
测试分选：LED芯片制备完成后，需要对其进行检测分选，以保
证进入下一步骤的良率。
1.2外延：MiniLED对MOCVD设备提出更高要求
外延片的制备是LED芯片制造的重要环节，需要通过MOCVD设备
实现。一个LED完整发光结构通常包含70-80层不同掺杂浓度、薄
层厚度的沉积层，各沉积层均会影响最终产品的发光特性，因此外
延生长环节是LED芯片生产的重要步骤。MOCVD(Metal-
organicChemicalVaporDeposition)即金属有机化合物化学气相沉积
工艺，是LED外延片生产的主流工艺，通过MOCVD设备实现。
MiniLED外延片对波长均匀性和缺陷控制要求提高，传统的MOCVD
设备需要升级。随着LED芯片尺寸的缩小和单位面积数目的增加，
芯片良率成为厂商无法回避的挑战。提高良率可以有效的降低生
产成本。就外延环节而言，提高良率的关键在于波长均匀性和缺陷
密度，这对MOCVD设备的设计与制造提出了更高要求。
1.3芯片加工：倒装芯片优势明显，渗透率有望逐步提升
根据结构划分，LED芯片可分为水平、垂直、倒装三类，其工艺
流程存在一定差异。
水平结构：最常见的结构，P电极和N电极都镀在芯片上表面，
制作流程相对最为简单。
垂直结构：P电极仍制作在芯片上表面，但N电极置于芯片底部。
垂直结构无需刻蚀PN台阶，但需要剥离蓝宝石衬底，并增加一层导
电衬底。芯片底部蒸镀金属薄膜，作为电极的同时可将出射光反
射到正面。衬底剥离工艺难度较大，一定程度制约了垂直结构的发
展。
倒装结构：外观类似于水平结构的翻转，但制作流程存在差别，
成本也比水平芯片高。为了使光线从芯片背面出射，倒装芯片一方
面需要在P-GaN层和电极之间蒸镀金属反射层，另一方面需要减薄
或剥离蓝宝石衬底，以减少光线损失。
在MiniLED规格下，倒装结构芯片存在发光效率高、散热好等优
势。倒装芯片渗透率有望逐步提升。
二、MiniLED后道封装工艺与设备介绍
2.1封装路线：LED封装主要包括SMD、IMD和COB三大类
根据封装结构的集成度，LED封装路线可分为SMD、COB与IMD(n
合一)三类。SMD（SurfaceMountedDevices)是先将单个芯片封装成
灯珠，再将其组装至基板上的封装方案，单
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