传感器及实用检测技术（第四版）课件 21.霍尔传感器原理.pptx

……………霍尔传感器原理传感器技术与应用武汉职业技术学院熊晓倩

课程内容CONTENTS霍尔效应02霍尔传感器分类03概述01

一、概述霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种。1879年发现了霍尔效应。此前，霍普金斯大学著名教授罗兰曾做了带电旋转盘的磁效应实验，第一次揭示了运动电荷也能激发磁场。值得注意的是，霍尔发现霍尔效应时，电子尚未被发现。霍尔（A.H.Hall，1855—1938）

二、霍尔效应霍尔效应在一个磁场中放置一块导体，在垂直于磁场的方向上施加一个电流时，载流的带电粒子会在磁场力作用下发生偏转，导体横向两侧的电荷会重新分布，从而产生一个内部的电场。这个现象便是霍尔效应。由此产生的导体两端的电势差通常称为霍尔电压（Hallvoltage）。霍尔效应使用左手定则判断。

二、霍尔效应霍尔电场将长、宽、高分别为L、W、H的半导体薄片，置于磁场B之下，两端面a、b通以控制电流I时，薄片中电子运动速度与I的方向相反，在磁场作用下将受一个由c侧指向d侧方向的力的作用，电子运动因受该力的作用会使运动轨迹横向偏移，按图中虚线方向前进，电子向d侧偏转，使该侧面形成负电荷的积累,半导体片的一侧(d侧)电子密集出现负电荷，另一侧(c侧)电子稀疏呈现正电荷，两侧面之间形成电场EH，称为霍尔电场。

二、