《 GaAs-AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应》范文.docxVIP

《GaAs-AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应》篇一

GaAs-AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应一、引言

在当代纳米科技与材料科学中，半导体异质结构的研究成为了热门的领域。尤其以GaAs/AlxGa1-xAs异质结构备受关注，其独特的电子和光学性质使其在光电子器件、量子计算和光子学等领域有着广泛的应用。在三量子阱（TQW）结构中，势垒的厚度是决定激子（即电子-空穴对）行为的关键因素之一。本篇论文将重点研究势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应。

二、势垒厚度对激子结合能的影响

GaAs/AlxGa1-xAs异质结构的三量子阱