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半导体器件失效分析

半导体器件失效分析就是通过对失效器件进行各种测试和物理、化学、金相试验，确定

器件失效的形式(失效模式)，分析造成器件失效的物理和化学过程(失效机理)，寻找器件失

效原因，制订纠正和改进措施。加强半导体器件的失效分析，提高它的固有可靠性和使用可

靠性，是改进电子产品质量最积极、最根本的办法，对提高整机可靠性有着十分重要的作用。

半导体器件与使用有关的失效十分突出，占全部失效器件的绝大部分。进口器件与国产

器件相比，器件固有缺陷引起器件失效的比例明显较低，说明进口器件工艺控制得较好，固

有可靠性水平较高。

1.与使用有关的失效

与使用有关的失效原因主要有：过电应力损伤、静电损伤、器件选型不当、使用线路设

计不当、机械过应力、操作失误等。

①过电应力损伤。过电应力引起的烧毁失效占使用中失效器件的绝大部分，它发生在器

件测试、筛选、安装、调试、运行等各个阶段，其具体原因多种多样，常见的有多余物引起

的桥接短路、地线及电源系统产生的电浪涌、烙铁漏电、仪器或测试台接地不当产生的感应

电浪涌等。按电应力的类型区分，有金属桥接短路后形成的持续大电流型电应力，还有线圈

反冲电动势产生的瞬间大电流型电应力以及漏电、感应等引起的高压小电流电应力；按器件