NAND Flash主控中BCH编译码器的研究和ASIC实现的开题报告.pdfVIP

NANDFlash主控中BCH编译码器的研究和ASIC

实现的开题报告

一、研究背景

随着计算机应用越来越广泛，数据的存储量也随之急速增长。而闪

存技术作为一种非易失性的存储技术，近年来得到了广泛的应用。其中

NANDFlash作为一种常用的闪存设备，其应用范围涉及从智能手机、平

板电脑、照相机到企业级存储系统等多个领域，为用户提供了高速、大

容量的存储设备。

NANDFlash中的编码技术可以帮助我们检测和纠正出现在存储阶段

或传输阶段中的错误，从而保证数据的可靠性。而BCH编码作为一种常

用的编码技术，在纠错及降低误码率方面具有很好的性能。因此，在

NANDFlash中使用BCH编码技术是一个值得深入研究的问题。

二、研究内容

本次研究的主要内容包括：

1.学习闪存技术的基本原理和NANDFlash中的存储系统。

2.了解BCH编码技术的基本原理和在NANDFlash中的应用。

3.研究BCH编码器的实现方法和其在NANDFlash中的应用。

4.设计一个ASIC芯片，实现BCH编码器的功能，并进行仿真验证。

三、研究意义

1.提高NANDFlash的可靠性：BCH编码技术可以检测和纠正出现

在存储阶段或传输阶段中的错误，从而保证数据的可靠性，提高NAND

Flash的可靠性。

2.降低误码率：通过在NANDFlash中引入BCH编码技术，可以有

效降低误码率，保证数据的正确性。

3.实现NANDFlash存储系统高速、大容量和可靠性的综合性能：

本次研究可通过对BCH编码技术在NANDFlash中的应用进行深入研究，

为将NANDFlash存储系统的综合性能提高至更高的水平提供理论和实践

支持。

四、研究方法

1.深入学习闪存技术、BCH编码技术的基本原理和应用，了解BCH

编码器的设计方法。

2.设计BCH编码器的电路结构，利用VerilogHDL进行RTL级设计，

进行电路优化，满足NANDFlash中的特殊要求，如数据块大小、通道数、

芯片大小等。

3.利用ModelSim进行仿真验证，验证BCH编码器的性能和正确性。

4.设计ASIC芯片，对电路进行面积和功耗优化，完成版图设计，并

进行物理验证。

5.制造BCH编码器的ASIC芯片，进行芯片测试，验证芯片的性能

和可靠性。

五、预期成果

本次研究的预期成果包括：

1.深入了解NANDFlash存储系统中BCH编码技术的应用。

2.设计出符合NANDFlash特殊要求的BCH编码器电路，并进行仿

真验证。

3.设计ASIC芯片，实现BCH编码器的功能，验证芯片的性能和可

靠性。

4.为提高NANDFlash的可靠性和综合性能提供了理论和实践的支

持。