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GaN器件芯片级散热技术

作为新一代固态微波功率器件的代表，GaN半导体具有高二维电子气

浓度、高击穿场强、高的电子饱和速度等特点，在微波大功率器件应用领

域有较第一、二代半导体材料显著的性能优势，其输出功率密度可以几倍

甚至十几倍于GaAs微波功率FET，满足新一代电子产品对更大功率、更高

频率、更小体积微波功率器件的要求，被广泛应用于雷达系统、通信系

统等领域。

然而，随着器件小型集成化的发展，现阶段在GaN基功率器件的研制

和应用进程中，GaN器件在高功率状态下的可靠性面临严峻挑战，导致其

大功率性能优势远未充分发挥。其主要原因之一是GaN微波功率芯片在工

作时存在自热效应，且随功率的增大而增加，加大了在输出大功率的同时

在芯片有源区的热积累效应，导致GaN器件输出功率密度以及效率等指标

迅速恶化，目前应用于产品工作的GaN器件的功率密度小于10W/mm，远

未达到实验研究中验证的功率密度。可以说，散热问题已经成为限制GaN

微波功率器件技术进一步发展和应用的主要技术瓶颈之一。

受GaN器件衬底和外延材料本身导热能力所限，传统封装级散热技术无法有效

解决这一问题，必须从GaN器件内部入手提升其近结区的热传输能力。

本文针对GaN功率器件的散热问题进行简要介绍。并对近年来国外正在开展的

GaN功率器件芯片级先进散热技术进行概括和分析，阐述了芯片级热管理的技术现状

和发展方向。

金刚石衬底散热技术

其概念是利用高热导率的金刚石材料替换传统GaN大功率器件的SiC衬底，增大其

芯片内部的热传输能力，旨在使其输出功率密度达到传统的芯片3倍以上，解决GaN近结

区的热积累，提升其器件的大功率特性和可靠性，被认为是下一代的GaN器件的最佳选

择。

该技术的实现依然面临挑战，主要包含三个方面：

(1)从原有衬底上将GaN外延层进行高质量、完整性的剥离技术；

(2)在GaN外延层上进行100μm的金刚石衬底生长或异质键合的技术；

(3)实现超低的生长或异质键合的界面热阻（GaN／Diamond）。

针对上述的技术挑战，多组研发团队开展深入研究，以求技术突破，目前主要有以下

两个途径。

基于低温键合技术和基于GaN外延层生长金刚石技术。其中低温键合的基本思

路是将GaN外延层从原始的Si衬底上剥离下来，然后在暴露的GaN表面添加中间层，从

而与多晶金刚石衬底结合，使GaN基器件的有源区与CVD金刚石衬底接触，降低功率器

件结温。其工艺过程：

而外延生长技术则是在GaN基底上通过衬底转移以及CVD生长方式直接生长出

金刚石热扩散层。两种方式各有优劣，并且均取得了显著的技术进步。其工艺过程：

金刚石嵌入式散热柱技术

其概念是将高热导率的金刚石材料嵌入到GaN器件有源区下端的SiC衬底的中，

使金刚石接近热源端，使热源区域热量通过金刚石散热柱有效热扩散，进而解决GaN

近结区的热积累，其结构如图所示。

其技术路径是利用SiC基GaN器件，在其有源区下端的区域对SiC衬底进行深度

刻蚀，并采用生长的技术对刻蚀孔进行金刚石材料的生长，实现金刚石嵌入式散热柱

结构。该散热结构可以认为是金刚石衬底GaN散热技术的一种妥协，不改变SiC衬底

GaN的结构，仅在热源区下端嵌入金刚石柱，可有效解决金刚石衬底GaN结构因整

片转移、异质键合或生长引起的GaN外延层的质量、界面热阻及应力等技术问题。

高导热钝化层散热技术

是利用金刚石薄膜材料替换原有源区的传统钝化层SiNx材料，利用金刚