材料学的复习资料.pdfVIP



1.作图表示立方晶体的123,012,421晶面及102,211,346晶向。



2.在六方晶体中，绘出以下常见晶向0001,2110,1010,1120,1210等。

3.写出立方晶体中晶面族{100}，{110}，{111}，{112}等所包括的等价晶面。

4.镁的原子堆积密度和所有hcp金属一样，为0.74。试求镁单位晶胞的体积。

mg1.74Mg/m3

已知Mg的密度，相对原子质量为24.31，原子半径

r=0.161nm。

5.当CN=6时Na离子半径为0.097nm，试问：

1)当CN=4时，其半径为多少？

2)当CN=8时，其半径为多少？

6.试问：在铜（fcc,a=0.361nm）的100方向及铁(bcc,a=0.286nm)的100方

向,原子的线密度为多少？

r0.1246nm

7.镍为面心立方结构，其原子半径为Ni。试确定在镍的（100），

2

（110）及（111）平面上1mm中各有多少个原子。

8.石英SiO2的密度为2.65Mg/m3。试问：

3

1)1m中有多少个硅原子（与氧原子）？

2)当硅与氧的半径分别为0.038nm与0.114nm时，其堆积密度为多少（假

设原子是球形的）？

9.在800℃时1010个原子中有一个原子具有足够能量可在固体内移动，而在900

℃时109个原子中则只有一个原子，试求其激活能（J/原子）。

10.若将一块铁加热至850℃，然后快速冷却到20℃。试计算处理前后空位数应

增加多少倍（设铁中形成一摩尔空位所需要的能量为104600J）。

11.设图1-18所示的立方晶体的滑移面ABCD平行于晶体的上、下底面。若该

滑移面上有一正方形位错环，如果位错环的各段分别与滑移面各边平行，其

柏氏矢量b℃AB。

1)有人认为“此位错环运动移出晶体后，滑移面上产生的滑移台阶应为4

个b,试问这种看法是否正确？为什么？

2)指出位错环上各段位错线的类型，并画出位错运动出晶体后，滑移方向

及滑移量。

12.设图1-19所示立方晶体中的滑移面ABCD平行于晶体的上、下底面。晶体

fed,deef

中有一条位错线段在滑移面上并平行AB，段与滑移面垂直。位

错的柏氏矢量b与de平行而与ef垂直。试问：

1)欲使de段位错在ABCD滑移面上运动而ef不动，应对晶体施加怎样的

应力？

2)在上述应力作用下de位错线如何运动？晶体外形如何变化？

a

110

13.设面心立方晶体中的(111)为滑移面，位错滑移后的滑移矢量为2。

1)在晶胞中画出柏氏矢量b的方向并计算出其大小。

2)在晶胞中画出引起该滑移