Danfoss丹佛斯Semikron Danfoss Application Note Introduction of new IGBT Generation 7 EN Rev-01 应用指南.pdf
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ApplicationNoteRevision:01
AN19-002Issuedate:2019-10-10
Preparedby:ArendtWintrich,PeterBeckedahl
Approvedby:UlrichNicolai
Keyword:IGBT,Gen7,SwitchingBehaviour,CrossReference
IntroductionofnewIGBTGeneration7
1.Introduction1
1.1GeneralIntroduction1
1.2ChipTechnology2
1.3MainAdvantagesofIGBTGeneration7basedPowerModules2
1.4ParameterOverview2
2.ApplicationofGeneration7IGBT3
2.1Switchingbehaviour3
2.1.1Turn-on3
2.1.2Turn-off4
2.1.3Switchinglossdependencyontemperature,voltageandcurrent6
2.1.4Shortcircuit6
2.2GateCapacitance7
2.3Operationjunctiontemperatureupto175C8
2.3.1Furtherconsiderationsforoperationathigherjunctiontemperatures9
2.4HV-H3TRBRobustness9
2.5Practicalrecommendations10
2.5.1Chipshrinkageandcurrentrating10
2.5.2Cross-referencetoIGBT4basedpowermodules10
2.5.3Gateresistorselection10
2.5.4Repetitivepeakcollectorcurrent10
3.Performancecomparison11
3.1MiniSKiiP11
3.2SEMiX3p11
4.Summary12
1.Introduction
1.1GeneralIntroduction
WiththisdocumentSEMIKRONliketointroducethe1200VGeneration7IGBTchipsandtheirrolloutto
differentpowermodulepackages.Thenewchipgenerationwillbeimplementedfromtwoindependent
sources.OnesourceisIn
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