《 InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文.docxVIP

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2024-10-30 发布于北京
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《 InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文.docx

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《InP基1550nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一

一、引言

随着信息技术的飞速发展，光通信技术在现代社会中扮演着越来越重要的角色。作为光通信系统的核心元件之一，半导体激光器在传输速度、传输距离以及系统稳定性等方面具有显著优势。InP基1550nm半导体激光器因其波长接近光纤的最低损耗窗口，成为光通信领域的研究热点。本文旨在研究InP基1550nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能，为激光器的优化设计和性能提升提供理论支持。

二、外延结构设计

1.结构设计与材料选择

InP基1550nm半导体激光器的外延结构主要包括InP衬底、量子阱活性层、P型和N型包层等部分