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纳米batio3陶瓷的超高压烧结

常规烧结

常规烧结是最简单原始的烧结方法，多用于普通陶瓷烧结，

一般认为，常规烧结只对易烧结，粉体性能优良，素坯致密度

较高且结构均匀性好的材料有效。否则，通常只能尝试添加烧

结助剂的方法以降低烧结温度或以第二相的形式钉扎在晶界上

进而降低晶界迁移速率，增加晶界扩散来实现陶瓷的纳米化。

因此，如何获得晶粒尺寸较小、尺寸分布较窄的优异粉体，同

时成型时得到致密度较高且结构较好的均匀的素坯，或烧结时

选择合适的烧结助剂是今后常规烧结制备纳米陶瓷的研究重

点。

两步烧结法

一般的无压烧结是采用等速烧结进行的，即控制一定的升温速

度，达到预定温度后保温一定时间获得烧结体。在无压烧结

中，由于温度是唯一可以控制的因素，因此如何选择最佳的烧

结温度，从而在控制晶粒长大的前提下实现坯体的致密化，是

纳米陶瓷制备中最需要研究的问题。从烧结理论上看，两步烧

结法是通过巧妙的控制温度的变化，在抑制晶界迁移的同时，

保持晶界扩散处于活跃状态，来实现在晶粒不长大的前提下完

成烧结的目的。清华大学研究人员运用两步烧结法，得到了密

度高达99%以上，晶粒尺寸为60nm的Y2O3陶瓷和晶粒尺寸仅

为8nm的完全致密的BaTiO3陶瓷。

热压烧结

热压烧结是在烧结的同时施加一定的轴向压力，使样品致密

化过程在外加压力的协同作用下完成，由于受模具材料的限

制，常规热压烧结的压力一般在几十兆帕。在这种情况下，紧

紧靠压力的作用还是很难获得纳米陶瓷，通常还需要第二相辅

助或其它因素共同作用。在不考虑塑性变形和蠕变的情况下，

轴向压力越大，素坯致密度越高，热压过程中的致密化速率越

大，所以纳米陶瓷的热压烧结往往需要很高的压力。

高压力作用使得纳米陶瓷的烧结温度比微米陶瓷低几百度，

这对抑制晶粒粗化有很好的效果，这种烧结方式也被称为是超

高压烧结。超高压烧结的特点是不仅能够迅速达到高密度，而

且使晶体结构甚至原子、电子状态发生变化，从而材料具有在

通常烧结下不能达到的性能。

热等静压烧结

热等静压烧结是一种集高温、高压于一体的工艺生产技术，制

备陶瓷时加热温度通常为超过2000℃，达2300℃。该烧结方

法通过以密闭容器中的高压惰性气体或氮气为传压介质，使得

粉末的各个方向受到相等的压力。

热等静压烧结方法能克服压力不均匀现象，减少了陶瓷材料

显微结构的结构梯度和结构缺陷，故加工的产品均匀致密、性

能优异。同时，该技术还具有烧结时间相对较短、工序少和材

料损耗小等特点。这种方法在制备纳米陶瓷时对粉体的要求不

高，即使是团聚严重的粉体也能达到较好的效果。目前该方法

已广泛用于纳米氧化物陶瓷及非氧化物陶瓷的制备中。

放电等离子烧结(SPS)

放电等离子烧结出现于20世纪60年代，是近年来被广泛应用

于材料制备的一种先进的烧结技术。SPS与热压烧结相似，不

同之处在于加热方式，它是通过通-断直流脉冲电流直接通电

烧结的加压的烧结方法。直流脉冲电流初期的电火花放电产生

局部高温场、放电冲击压力、焦耳热和电场扩散，能够提供极

快的加热速度从而获得高致密度的均匀烧结体。SPS烧结充分

利用了粉体内部的自发热作用，产生大量的热传递通道以及缩

短热扩散的距离，使粉体迅速升温，烧结致密度增加的同时并

能有效抑制晶粒的长大。

目前SPS作为一种有效的制备纳米陶瓷的方法，已经广泛应用

于包括氧化物(ZrO2、MgO、BaTiO3)、碳化物(SiC、TiC、

WC)、氮化物(Si3N4、TiN)等纳米陶瓷的烧结中。SPS烧结工

艺优势非常明显：加热均匀，升温速度快，烧结温度低，烧结

时间短，生产效率高，产品组织细小均匀，能保持原材料的自

然状态，得到高致密度的材料，还可烧结梯度材料以及复杂工

件等。

微波烧结

微波烧结为20世纪80年代中后期国际上发展起来的一种新

型陶瓷的烧结技术，它是利用在微波电磁场中材料的介电损耗

致使材料整体加热至烧结温度，并最终实现致密化的快速烧结

的新技术，具有升温速度快、能源利用率高、加热效率高和安

全卫生无污染等优点，并能提高产品的均匀性，改善被烧结材

料的微观结构及性能。

对于纳米陶瓷，微波烧结能力取决于材料对微波的吸收量和

吸收速率。陶瓷对微波的吸收能力与微波频率和介电损耗系数

成正比，对于多数低耗散的纳米陶瓷，其介电损耗系数随温度

和频率增加，因此往往较高的微波频率更利于陶瓷的微波烧

结。另外，由于微波加热是对整体均匀即时加热，因此材料整

体