《 有外电场时GaAs-AlGaAs多量子阱中电子子带间跃迁光吸收》范文.docx

《有外电场时GaAs-AlGaAs多量子阱中电子子带间跃迁光吸收》篇一

有外电场时GaAs-AlGaAs多量子阱中电子子带间跃迁光吸收一、引言

在当代半导体物理中，GaAs/AlGaAs多量子阱（MQW）因其独特的电子性质和光学特性，被广泛应用于光电子器件和微电子器件的制造中。当外电场作用于这些多量子阱时，电子子带间的跃迁光吸收现象引起了广泛关注。本文将深入探讨有外电场存在时，GaAs/AlGaAs多量子阱中电子子带间跃迁光吸收的特性与机理。

二、GaAs/AlGaAs多量子阱结构及电子能带特性

GaAs/AlGaAs多量子阱是由交替生长的砷化镓（GaAs）和铝镓砷（AlGaAs）超薄层组成。