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《 界面处理调控InGaN-GaN多量子阱结构光学性能的研究》范文.docxVIP

《 界面处理调控InGaN-GaN多量子阱结构光学性能的研究》范文.docx

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    《界面处理调控InGaN-GaN多量子阱结构光学性能的研究》篇一

    界面处理调控InGaN-GaN多量子阱结构光学性能的研究一、引言

    随着半导体光电子技术的快速发展，InGaN/GaN多量子阱（MQW）结构因其优异的发光性能和光电转换效率，在LED、激光器等光电器件中得到了广泛应用。然而，其光学性能的优化与调控一直是研究的热点与难点。本文针对界面处理对InGaN/GaN多量子阱结构光学性能的影响进行研究，旨在通过界面调控技术，提高MQW结构的光学性能。

    二、InGaN/GaN多量子阱结构概述

    InGaN/GaN多量子阱结构是一种由交替生长的InGaN和GaN薄层组成的周期性结构。这种结构具有能带

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