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NCE4060BK
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE4060BKusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V40V,I60A
DSD
Schematicdiagram
RDS(ON)8.0mΩ@VGS10V(Typ)
RDS(ON)11.5mΩ@VGS4.5V(Typ)
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
Markingandpinassignment
●Loadswitching
●Hardswitchedandhighfrequencycircuits
●Uninterruptiblepowersupply
100%UISTESTED!
TO-252-2Ltopview
100%ΔVdsTESTED!
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE4060BKNCE4060BKTO-252-2L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS40V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID60A
PulsedDrainCurrent
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