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NCE09N80A
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE09N80Ausesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V75V,I130A
DSD
RDS(ON)9mΩ@VGS10V(Typ:7.7mΩ)Schematicdiagram
●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment
●Hardswitchedandhighfrequencycircuits
●Uninterruptiblepowersupply
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TO-220-3Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE09N80ANCE09N80ATO-220-3L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS75V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID130A
DrainCurrent-Continuous(T100℃)
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