《电阻法碳化硅单晶生长设备》.pdf

ICS25.180.10

CCSK61

CES

团体标准

T/CESXXXX—XXXX

电阻法碳化硅单晶生长设备

Siliconcarbidesinglecrystalgrowthequipmentbyresistance

method

（征求意见稿）

xxxx­xx­xx发布xxxx­xx­xx实施

中国电工技术学会发布

T/CESXXXX—XXXX

目次

前  言II

1 范围1

2 规范性引用文件1

3 术语和定义1

4 产品分类3

5 技术要求4

6 试验方法7

7 检测规则8

8 标志、包装、运输和贮存9

9 订购与供货10

Ⅰ

T/CESXXXX—XXXX

电阻法碳化硅单晶生长设备

1范围

本文件规定了电阻法碳化硅单晶生长设备的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检

验规则以及标志、包装、运输和贮存等。

本文件适用于物理气相传输法PVT(physicalvaportransport)生长半导体碳化硅、氮

化铝等单晶炉。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期

的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括

所有的修改单）适用于本文件。

GB150—2011钢制压力容器

GB/T2900.23—2008电工术语工业电热装置

GB3095—2012环境空气质量标准

GB8702—2014电磁环境控制限值

GB8978—1996污水综合排放标准

GB/T10066.1—2019电热和电磁处理装置的试验方法第1部分：通用部分

GB/T10066.4—2004电热设备的试验方法第4部分：间接电阻炉

GB/T10067.1—2019电热和电磁处理装置基本技术条件第1部分：通用部分

GB/T10067.4—2005电热装置基本技术条件第4部分：间接电阻炉

GB12348—2008工业企业厂界环境噪声排放标准

GB16297—1996大气污染物综合排放标准

JB/T9691—1999电热设备产品型号编制方法

3术语和定义

GB/T2900.23—2008和GB/T10066.4—2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

电阻法碳化硅单晶生长设备resistanceheatingmethodsiliconcarbidesingle

crystalgrowthequipment