高级光刻工艺课件.pptVIP

概述基本光刻工藝前面已經介紹。隨著圖形尺寸減小到亞微米級，晶片製造工藝對低缺陷密度的要求越來越迫切；還有晶片尺寸和器件密度的增加，這些都要求晶片製造工業盡可能挖掘各種傳統工藝的潛能和開發新的工藝技術。10.1ULSI/VLSIIC圖形處理過程中存在地問題對於中規模、大規模和某些VLSI的IC，前面介紹的基本光刻工藝完全適用，然而，對於ULSI/VLSIIC這些基本工藝已經明顯力不能及。在亞微米工藝時代，某些光刻工藝在0.3μm以下明顯顯示出它的局限性。存在地問題主要包括：光學設備的物理局限；光刻膠解析度的限制；晶園表面的反射現象和高低不平現象等。第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－2－下圖列出了一些在2012年左右對光刻工藝的要求生產年度200120062012線寬(nm）15010050記憶量1Gb16Gb64Gb邏輯Bits/cm2380M2.2B17B晶片尺寸DRAM(mm2)4457901580最大連線水準77~89掩膜層2324~2628缺陷密度DRAM(D/m)875490250晶片連接I/O119519703585晶片直徑(mm)300300450第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－3－有關光學系統解析度控制、改進的曝光源、曝光問題、掩膜版薄膜等問題參見10.2～10.4節。晶園表面問題晶園表面問題主要是指晶園表面的條件，包括表面的反射率、表面地形差異、多層刻蝕等。光刻膠裏的反射現象：第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－4－反射問題在表面有很多階梯（也稱為複雜地形）的晶園中尤為突出，這些階梯的側面將入射光以一定角度反射入光刻膠裏，引起圖形解析度不好，其中一個獨特的現象就是階梯處發生光干涉現象從而引起階梯圖形出現“凹口”。第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－5－防反射塗層（ARC）防反射塗層是在塗光刻膠之前在晶園表面塗一層物質用來幫助光刻膠成像（見圖10.15）。防反射塗層對成像過程有幾點幫助：1）平整晶園表面；2）防反射塗層切斷了從晶園表面反射的光線；3）還能降低駐波效應和增強圖形對比度。存在的問題增加額外的塗層工藝和烘焙工藝，可能會使膜厚度和顯影過程變得難控制，曝光時間也相應地增加30～50％。第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－6－平整化隨著光刻次數的增加，晶園表面變得高低不平，如圖所示。平整化技術包括：1）複層光刻膠工藝；2）工藝層平整化；3）回流技術；4）化學機械研磨。第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－7－複層光刻膠第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－8－第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－9－銅制程工藝隨著器件密度的增加，金屬層數也不斷增加，各金屬層之間使用導電介質連接，導電介質被稱為連接柱或連接栓。鎢雖然是很好的金屬材料，但刻蝕工藝比較復查。目前，銅逐漸代替了鋁來作為金屬導體，但銅的工藝又引入了一大堆新問題，一種既使用銅又能同時做出連接柱的工藝稱作銅制程，是一種嵌入式工藝過程，首先使用傳統的光刻工藝刻出溝道，然後用所需的金屬填充溝道，金屬澱積並溢出溝道覆蓋晶園表面。接著使用CMP(化學機械研磨)將溢出的金屬磨去，只留下溝道內的金屬線（見下圖）。第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－10－有關詳細內容將在以後介紹。第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－11－化學機械研磨(CMP)化學機械研磨（拋光）不僅在晶園製備過程中使用，而且在晶片製造過程中也被用來做晶園表面的平整化。因為經過多次光刻後晶園表面出現高低不平的表面階梯，在階梯處存在金屬覆蓋不好的問題，給後續工藝帶來不便，所以必須進行表面平整化處理。在工藝過程使用化學機械研磨得優點是：1）可以達到晶園表面整體平整化；2）研磨移去所以表面物質；3）適用於物質表面；4）使高質量的銅制程和銅化金屬層成為可能；5）費用低。第十章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗