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EUV光罩缺陷检测设备数据分析报告QYResearch报告出版商|market@|

EUV光罩缺陷检测设备数据分析报告

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掩膜版又称光掩模、光罩、掩模版，英文为Photomask、Mask或Reticle，是微电子加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。掩膜版作为图形信息的载体，通过曝光过程，将图形转移到基体材料上，从而实现图形的转移。

掩膜版缺陷检测是半导体光刻工艺中的关键环节，旨在检查掩膜版并识别修复其上的缺陷。掩膜版作为光刻工艺中至关重要的组件，负责将电路图案精确转移到晶圆上，其品质直接关乎晶圆图案的精确度及最终器件的性能表现。缺陷类型多样，涵盖颗粒污染、图形断裂、桥接问题以及掩膜版材料本身的瑕疵。

EUV掩膜版缺陷检测设备是一种专用设备，在半导体高端制程工艺中起着重要作用。鉴于EUV光刻技术所要求的高精度，掩膜板上哪怕是最微小的缺陷也可能显著影响晶圆上电路图案的质量，进而对芯片的性能和产量造成不利影响。因此，采用专门的检测设备对EUV掩膜板实施严格检验，是保障半导体制造质量不可或缺的关键环节。

目前来看，光学检测是半导体检测技术中的主流，半导体光学检测类型包括了有图形、无图形以及掩膜版检测。其中有图形缺陷检测又分为明场合暗场检测，两者都是通过光信号进行分析，区别在于明场是垂直反射光信号，而暗场是散射光信号。

在半导体光刻工艺中，需要针对不同的掩膜版使用对应的光源。不同的掩膜版应用差异较大，总的可以分为二元掩膜版、相移掩膜版和EUV掩膜版。EUV掩膜版是专为EUV（极紫外）光刻技术设计的新型掩膜版。鉴于EUV波长极短且易被多种材料吸收的特性，传统的折射元件如透镜无法使用，而是依据布拉格定律，通过多层（ML）结构实现光束的反射（与EUV不同的是，DUV使用的是透射光）。此类掩膜版广泛应用于7nm、5nm、3nm和2nm（台积电计划2025年量产）高端制造工艺中。

在DUV光刻或光学掩模技术中，pellicle（保护膜）扮演着关键角色。掩膜检测工具在193nm的曝光波长下运行，通过这层薄膜执行检查，对于晶圆厂而言，这是一个既直接又高效的流程。然而，在极紫外（EUV）光刻技术方面，掩膜的制造过程需要在专门的掩膜车间进行。此时，对掩膜的检查变得更为复杂，因为它需要一个高分辨率的系统。在晶圆厂环境下，理想状况是使用一层薄膜来保护掩模免受颗粒污染，同时又能让检测系统透过这层薄膜进行工作。如果没有缺陷，则可以继续进行；如果检测到缺陷，则需要移除保护膜pellicle，再将掩膜送到掩膜车间进行清洗。

目前来看，掩膜版检测技术主要是光学检测和SEM检测。其中光学检测的企业主要是Lasertec和KLA，而SEM检测则是爱德万。从下游应用来看，只要掩膜版用到保护膜Pellicle，则需要用到EUV掩膜检测设备（换句话而言，只要有EUV光刻机，则必须要用到EUV检测设备），但目前下游终端厂商不一定所有的EUV掩膜版都会与Pellicle一起使用。

根据QYResearch最新调研报告显示，预计2030年全球EUV光罩缺陷检测设备市场规模将达到34亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为12.1%。

EUV光罩缺陷检测设备，全球市场总体规模

来源：QYResearch半导体研究中心

全球EUV光罩缺陷检测设备市场前3强生产商排名及市场占有率（基于2023年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）

来源：QYResearch半导体研究中心。行业处于不断变动之中，最新数据请联系QYResearch咨询。

目前，EUV光罩缺陷检测设备市场主要被KLA和Lasertec垄断。EUV光罩缺陷检测设备属于高精尖设备，交货时间比较长，比如Lasertec的交期为两年。未来几年，头部这两家企业在EUV光罩缺陷检测市场仍将保持着垄断地位。

EUV光罩缺陷检测设备，全球市场规模，按产品类型细分，5-7nm处于主导地位

来源：QYResearch半导体研究中心

从产品类型及技术方面来看，EUV主要应用于7nm及以下节点，其中3nm量产相对比较晚，所以尤以7/5nm居多。2023年EUV光罩缺陷检测设备在5-7nm工艺节点应用份额为95%，随着台积电2nm工艺的商业化，预计到2030年，EUV光罩缺陷检测设备在3nm及以下节点应用份额将达到30%。

EUV光罩缺陷检测设备，全球市场规模，按应用细分，Application1是最大的下游市场，占有xx份额。

来源：QYResearch半导体研究中心

EUV光罩缺陷检测设备主要用于光罩厂和Fab厂。其中Fab厂包括了光罩产线以及晶圆制造产线。对于Fab厂，采用EUV光罩缺陷检测设备的主要原因