《电工电子技术基础》理实一体化测验(三)模拟电子技术.doc

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题号

总分

得分

评卷人

《电工电子技术基础》理实一体化测验(三)模拟电子技术

一、单项选择题(1-20题每小题0.5分,21-40题每小题1分,共计30分)

题号

得分

1、下列组合中,是常用于制备二极管、三极管的半导体材料的是()

A、Fe/CuB、Si/AlC、Li/NaD、Ge/Si

2、若向本征半导体中掺入硼(B)元素,得到的半导体类型为()

A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体D、AB均可

3、三极管的基本结构中,掺杂浓度最高的是()

A、基区B、发射区C、集电区D、PN结

4、三极管基区掺杂浓度很低且很薄这一工艺特点的目的是()

A、降低掺杂成本;B、降低发射结正向导通电压;

C、提高电流放大倍数;D、增强三极管抗干扰能力;

5、当三极管工作于饱和区,其两个PN结的偏置状态为()。

A、发射结正偏,集电结反偏;B、发射结反偏,集电结正偏;

C、发射结正偏,集电结正偏;D、发射结反偏,集电结反偏。

6、当三极管的两个PN结处于发射结反偏、集电结正偏状态时,三极管工作于()

放大区B、饱和区

C、截止区D、不可判断

7、晶体三极管的控制方式为()

A、电流控制电压B、电流控制电流C、电压控制电压D、电压控制电流

8、用于衡量三极管温度稳定性的性能参数为()

A、放大倍数B、级间反向电流C、反向击穿电压D、最大耗散功率

9、基本放大电路输入端与输出端的接法是()

A、共发射极;B、共基极;C、共集电极;D、ABC均可;

10、若将处于放大工作状态三极管中的基极偏置电阻RB短路,则该三极管()

A、处于饱和状态;B、仍处于放大状态;C、被击穿;D、不一定;

11、三极管基本放大电路中,三极管放大的信号是()

A、直流量;B、交流量;C、交/直流量均有;D、不确定

12、若在基本放大电路的输出信号波形中,仅有其底部被限幅,则该失真类型为()

A、截止失真;B、饱和失真;C、交越失真;D、输入过大引起的失真;

13、差动放大电路的共模抑制比越大,表示该组件()

A、差模信号放大倍数越大;B、带负载能力越强;

C、抑制零点漂移的能力越强;D、抗外界干扰能力越差;

14、若在基本放大电路的输出信号波形中出现顶部失真,为消除失真,可()

A、减小RB;B、增大RB;C、减小RC;D、增大RC;

15、基本放大电路输出电阻ro用于描述()

A、电路带负载能力;B、电路抗干扰能力;

C、电路对信号源的影响程度;D、电路输入特性;

16、下列放大电路接法中具有较好电压跟随性的是()

A、共射极B、共集电极C、共基极D、差动

17、多级放大电路中,中间级通常选用()放大电路

A、共射极B、共集电极C、共基极D、差动

18、差动放大电路是为克服温漂而设计的,通常应用于电路的()

A、输入级B、中间级C、输出级D、偏置电路

19、用于直接驱动负载,常作为多级放大电路末级或者末前级使用的是()放大电路

A、共射极B、共集电极C、互补对称功率D、差动

20、如果反馈信号削弱原输入信号,该反馈类型为()

A、正反馈B、负反馈C、A和B均是D、A和B均不是

21、下列关于本征半导体导电性的说法不正确的是()

A、由自由电子和空穴同时参与导电;B、自由电子和空穴数量相等;

C、本征半导体导电性远不如金属;D、温度升高,本征半导体导电性减弱;

22、下列关于P型半导体的说法不正确的是()

A、本征半导体中掺入硼元素可得P型半导体;B、P型半导体

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