电动汽车 SiC功率半导体封装集成创新技术及应用.pdf

康勇

1987年以来，SiC功率器件已发展30余年，20世纪及21世纪初尚为

萌芽期，处于科研和军工应用阶段，商业应用较少；随着特斯拉在

电动汽车领域开创性的应用，SiC功率器件开始进入大规模应用阶段。

在电动汽车发展需求牵引下，近几年已进入宽禁带半导体时代特别

是SiC功率器件的高速发展期。

SiC半导体材料相对硅基半导体材料具有全面优势：

材料特性与应用潜力：高温、高频、高压、低损耗、低热阻。

高温潜力：SiC芯片最高可耐受600℃高温，而Si芯片物理极限为

175℃。

高频潜力：SiCMOSFET工作频率可提升至1MHz，而传统Si

IGBT的工作频率一般为60kHz以下

高压潜力：SiC芯片可实现更高的掺杂浓度和更薄的外延层，单

位面积导通电阻更小，更适合高压应用

SiC功率器件性能的潜力还远未发挥，技术和产业发展还有很大机

会，IEEEITRW成立四个小组推动宽禁带半导体器件相关技术发展

及应用，其中封装集成技术是宽禁带半导体的关键发展路线之一：

（1）器件与材料：宽禁带半导体材料、设计、制造及评估

（2）封装集成：通过器件封装集成技术，提升器件电磁热力性能，发

挥宽禁带半导体器件的高速、高温优势

（3）碳化硅系统及应用：碳化硅功率器件应用场合及性能需求

（4）氮化镓系统及应用：氮化镓功率器件应用场合及性能需求

IEEE宽禁带半导体路线图组织（InternationalTechnology

RoadmaponWideBandgapSemiconductors）:在全球范围内促

进宽禁带功率半导体技术的研究、教育、创新和应用

封装：是充分发挥功率半导体性能的保障

封装的技术关键：处理好电气连接过程中的绝缘、导热和机械应

力问题

系统集成：直接影响电力电子器件的效率、功率密度和可靠性

系统集成的关键技术：处理好电气连接过程中的绝缘、导热、机

械应力和控制性能问题

SiC功率半导体器件封装和系统集成的问题是尺度不同的共性问题

封装技术与集成技术要解决的关键技术大部分是一样的

SiC功率半导体器件封装集成目前面临的共同技术挑战：

（1）高开关速度引起电磁寄生参数：高参数下快速开关导致宽

频电磁振荡，封装和装联都要降低寄生参数

（2）小芯片面积导致强热流密度：小尺寸热量聚集加速器件老

化失效，封装和功率组件都要提高散热能力

（3）材料高应力应变降低可靠性：异质材料界面性能失配危及

可靠运行，封装内部和外部的应力都加大了

（4）高集成度引起强电磁热力藕合：多物理场耦合效应恶化系

统性能，封装内外都存在多物理场耦合问题

碳化硅行业发展需要新的研究和产业模式：

功率器件封装集成关键性能由器件布局结构、芯片互连、封装材

料、散热结构及集成技术等多个关键技术决定

功率器件封装关键技术1：低感布局结构

功率模块布局结构决定着器件的寄生电感

由单回路布局向多回路及三维回路等高性能布局发展

功率器件封装关键技术2：高可靠芯片互连技术

芯片互连结构影响着器件的通流能力、热阻及可靠性等多方面性能

为了实现更高的性能，由铝线键合向铝带键合、铜线键合、铜夹互

连、双面基板互连及柔性基板互连等方向发展

功率器件封装关键技术3：高可靠封装材料—芯片粘接材料

芯片粘接材料是功率器件实现低热阻及高可靠性的关键

为了高可靠、低热阻粘接，由合金焊料向瞬态液相键合、纳米银烧

结、纳米铜烧结发展

功率器件封装关键技术3：高可靠封装材料—绝缘材料

功率器件绝缘材料影响器件的耐压、耐温，且保证环境适应性

在工业界，硅凝胶及环氧树脂材料最为成熟，应用最为广泛；其中，

环氧树脂能够实现更高的可靠性及环境适应性

功率器件封装关键技术4：高效散热技术

器件的散热技术直接决定着器件的负载能力及系统功率密度

采用高热导率界面层材料、减少连接界面层数，或提高散热器对流

系数，降低热阻

功率器件封装关键技术5：高密度系统集成技术

电力电子变换器系统由大量元件组成，基于高性能功率器件，考

虑电磁热力耦合进行高密度集成设计、低电磁干扰技术研究及元

件封装集成，提升系统功率密度

基于标准封装功率器件，由多个组件组装而成

器件外形、电气接口及散热方式限制系统功率密度

封装集成技术发展趋势-封装

高性能功率器件封装采用多种新型封装结构、芯片互连结构和封

装材料，向着低感、低热阻、高可靠、小尺寸塑封方向发展

封装集成技术发展趋势-集成

随着功率器件封装及