基于界面优化提升铁电有机薄膜晶体管存储器性能的研究.pdf

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摘要

铁电型有机场效应晶体管非易失性存储器(Fe-OFET-NVM)具有质轻、成

本低、可溶液法加工、机械柔性好等天然优势,在柔性电子学与可穿戴电子学

等领域有广阔的应用前景。近二十年来,Fe-OFET-NVM的研究取得了良好的

进展。然而,作为柔性应用的Fe-OFET-NVM普遍性使用铁电材料

poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)[P(V

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