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第38卷第11期2010年11月Vol.38No.11Nov.2010化学

第38卷第11期2010年11月

Vol.38No.11Nov.2010

CHEMICALENGINEERING(CHINA)

冶金法制备太阳能硅过程的湿法除硼研究

汤培平，陈云霞，徐敏，朱丽，刘宏宇，王文宾

(厦门大学化学化工学院，福建厦门361005)

摘要；湿法提纯作为冶金法路线制备太阳能级硅前处理工序，可去除大部分铁铝等碱金属及硼杂质，提高最终产品收率。实验考察了湿法除硼过程主要工艺因素：浸出剂浓度、温度、时间、搅拌等对产品纯度的影响，采用SEM对产品进行表征。当工艺条件为c(HNO?)=6.5mol/L,c(H?SO?)=6molL,温度120℃、时间4h,处理后产品中杂质质量分数为3.574×10-?,湿法过程单元的去除率为44.58%。实验结果为高等级太阳能级硅制备工业化开发大幅度降低成本提供了技术基础。

关键词：太阳能硅；冶金级硅；湿法冶金；除硼

中图分类号：TF111.3文献标识码：A文章编号：1005-9954(2010)11-0068-04

Hydrometallurgicalpurificationboronprocessforpreparingsolar-gradesiliconwithmetallurgicalroute

TANGPei-ping,CHENYun-xia,XUMin,ZHULi,LIUHong-yu,WANGWen-bin

(CollegeofChemistryandChemicalEngineering,XiamenUniversity,Xiamen361005,FujianProvince,China)Abstract:Asapre-treatmentprocessforpreparingsolar-gradesilicon(SG-Si),thehydrometallurgicalroutecanremovenotonlymostofalkalimetallikeironandaluminumbutalsoboronimpurityinmetallurgical-gradesilicon(MG-Si)toraisethefinalproductyield.Thefactorssuchastheconcentrationofleachingagent,temperature,timeandstirringwereresearchedintheprocessofremovingboron,andthesampleswerecharacterizedbyICP,SEM,ete.TheresultshowsthatwhenMG-Sipowderisleachedatappropriateconditionsofc(HNO?)=6.5mol/L,c(H?SO?)=6mol/L,reactiontemperature120℃,reactiontime4h,thefinalboronimpuritiesmassfractionaftertreatmentcanbereducedto3.574×10-?,andtheremovalrateofboronimpurityinMG-Sipowderis44.58%.TheexperimentalresultsprovidethetechnicalreferenceforreducingthecostofindustrializeddevelopmentofSC-Sipreparation.

Keywords:solar-gradesilicon;metallurgical-gradesilicon;hydrometallurgy;boronremoval

多晶硅是制备单晶硅和太阳能电池的原材料，是全球电子工业及光伏产