模拟电子技术(第五版)江晓安-4-1-2-3-4[49页].pptVIP

*增强型MOS管特性小结绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型*?MOS管衬底的处理

保证两个PN结反偏，源极—沟道—漏极之间处于绝缘态NMOS管—UBS加一负压PMOS管—UBS加一正压处理原则：处理方法：*1.N沟道耗尽型MOS场效应管结构4.2.2耗尽型MOS场效应管+++++++??????????????????耗尽型MOS管存在原始导电沟道N沟道耗尽型MOS管，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，在管子制造过程中，这些正离子已经在漏源之间的衬底表面感应出反型层，形成了导电沟道。*2.N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理当UGS=0时，UDS加正向电压，产生漏极电流ID,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示当UGS＞0时，将使ID进一步增加。当UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小。直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UP表示。UGS(V)ID(mA)UP耗尽型MOS管存在原始导电沟道。因此，使用时无须加开启电压（VGS=0），只要加漏源电压，就会有漏极电流。即：*3.N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线(1)输出特性曲线UGS=6VUGS=4VUGS=1VUGS=0VUGS=--1VUGS(V)ID(mA)N沟道耗尽型MOS管可工作在UGS?0或UGS0N沟道增强型MOS管只能工作在UGS0*UGS(V)ID(mA)(2)转移特性曲线常用关系式：UGS(off)夹断电压当uGS?UGS（off）0时,*绝缘栅增强型N沟P沟绝缘栅耗尽型N沟道P沟道*N沟道增强型SGDBiDP沟道增强型SGDBiD2–2uGS/ViD/mAUGS(th)uDS/ViD/mA–2V–4V–6V–8VuGS=8V6V4V2VSGDBiDN沟道耗尽型iDSGDBP沟道耗尽型UGS(off)IDSSuGS/ViD/mA–55uDS/ViD/mA5V2V0V–2VuGS=2V0V–2V–5VN沟道结型SGDiDSGDiDP沟道结型uGS/ViD/mA5–5IDSSUGS(off)uDS/ViD/mA5V2V0VuGS=0V–2V–5VMOSFET符号、特性的比较*开启电压UGS(th)(增强型)夹断电压UGS(off)(耗尽型)指uDS=某值，使漏极电流iD为某一小电流时的uGS值。UGS(th)UGS(off)2.饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应管，当uGS=0时所对应的漏极电流。IDSSuGS/ViD/mAO4.3场效应三极管的参数*UGS(th)UGS(off)3.直流输入电阻RGS指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。JFET：RGS107?MOSFET：RGS=109?1015??IDSSuGS/ViD/mAO*4.低频跨导gm反映了uGS对iD的控制能力，单位S(西门子)。一般为几毫西(mS)uGS/ViD/mAQO增强型MOSFET耗尽型MOSFET

或结型FET*PDM=uDSiD，受温度限制。5.漏源动态电阻rds6.最大漏极功耗PDM*6.漏源击穿电压BUDS使ID开始剧增时的UDS。7.栅源击穿电压BUGSJFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压8.漏极最大允许耗散功率PDmPDm与ID、UDS有如下关系:*9.极间电容Cgs—栅极与源极间电容Cgd—栅极与漏极间电容Cgb—栅极与衬底间电容

Csd—源极与漏极间电容Csb—源极与衬底间电容Cdb—漏极与衬底间电容主要的极间电容有：*4.4场效应管的特点(1)场效应管是一种电压控制器件,即通过UGS来控制ID。(2)场效应管输入端几乎没有电流,所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。