磁控溅射镀膜原理及工艺.ppt

在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电子，产生等离子辉光放电，电子在加速飞向基片的过程中，受到垂直于电场的磁场影响，使电子产生偏转，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，电子以摆线的方式沿着靶表面前进，在运动过程中不断与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar+离子，与没有磁控管的结构的溅射相比，离化率迅速增加10～100倍，因此该区域内等离子体密度很高。第32页,共44页，星期六，2024年，5月经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，最终落在基片、真空室内壁及靶源阳极上。而Ar+离子在高压电场加速作用下，与靶材的撞击并释放出能量，导致靶材表面的原子吸收Ar+离子的动能而脱离原晶格束缚，呈中性的靶原子逸出靶材的表面飞向基片，并在基片上沉积形成薄膜。第33页,共44页，星期六，2024年，5月3.4试验过程3.4.1准备过程（1）动手操作前认真学习讲操作规程及有关资料，熟悉镀膜机和有关仪器的结构及功能、操作程序与注意事项，保证安全操作。（2）清洗基片。用无水酒精清洗基片，使基片镀膜面清洁无脏污后用擦镜纸包好，放在干燥器内备用。（3）镀膜室的清理与准备。先向真空腔内充气一段时间，然后升钟罩，装好基片，清理镀膜室，降下钟罩。第34页,共44页，星期六，2024年，5月3.4.2试验主要流程（1）打开总电源，启动总控电，升降机上升，真空腔打开后，放入需要的基片，确定基片位置（A、B、C、D），确定靶位置（1、2、3、4，其中4为清洗靶）。（2）基片和靶准备好后，升降机下降至真空腔密封（注意：关闭真空腔时用手扶着顶盖，以控制顶盖与强敌的相对位置，过程中注意安全，小心挤压到手指）。（3）启动机械泵，抽一分钟左右之后，打开复合真空计，当示数约为10E-1量级时，启动分子泵，频率为400HZ（默认），同时预热离子清洗打开直流或射流电源及流量显示仪。第35页,共44页，星期六，2024年，5月（4）（选择操作）打开加热控温电源。启动急停控制，报警至于通位置，功能选则为烘烤。（5）但真空度达到5×10-4Pa时，关闭复合真空计，开启电离真空计，通氩气（流量20L/min），打开气路阀，将流量计Ⅰ拨至阀控档，稳定后打开离子源，依次调节加速至200V~250V，中和到12A左右，阳极80V，阴极10V，屏极300V。从监控程序中调出工艺设置文件，启动开始清洗。（6）清洗完成后，按离子源参数调节相反的顺序将各参数归零，关闭离子源，将流量计Ⅱ置于关闭档。第36页,共44页，星期六，2024年，5月（7）流量计Ⅰ置于阀控档（看是否有读数，一般为30。否则查明原因），调节控制电离真空计示数约1Pa，调节直流或射频电源到所需功率，开始镀膜。（8）镀膜过程中注意设备工作状态，若工艺参数有异常变化应及时纠正或停止镀膜，问题解决后方可重新镀膜。（9）镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关闭氩气阀门。将挡板逆时针旋至最大通路。当气罐流量变为零后，关闭流量计Ⅱ，继续抽半个小时到两个小时。（10）关闭流量显示仪和电离真空计，停止分子泵，频率降至100HZ后关闭机械泵，5分钟后关闭分子泵，关闭总电源。第37页,共44页，星期六，2024年，5月

3.5不同工作气压下所得试验结果

靶材基底负偏压V工作气压10-3torr传动速度m/min时间min厚度nm沉积率nm/min纯铜陶瓷701.03620033.3纯铜陶瓷701.53626043.3纯铜陶瓷702.03632053.3纯铜陶瓷702.53631051.7纯铜陶瓷703.03629048.3纯铜陶瓷703.53626043.3纯铜陶瓷704.03622537.5第38页,共44页，星期六，2024年，5月第39页,共44页，星期六，2024年，5月由工作气压与沉积率的关系表可以看出：在其他参数不变的条件下，随着工气压的增大，沉积速率先增大后减小。在某一个最佳工作气压下，有一个对应的最大沉积速率。第40页,共44页，星期六，2024年，5月

3.5.1试验结果分析

气体分子平均自由程与压强有如下关系?其中为气体分子平均自由程,k为玻耳兹曼常数，T为气体温度,d为气体分子直径,p为气体压强。由此可知，在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下，如果工