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EMI滤波器的应用及选择指南

一、EMI滤波器的电路结构形式（右图所示）：

1、C型滤波器

C型滤波器由三端电容和穿心电容构成，适合

于抑制高频。C型滤波器两端均可视为低阻抗，

接高阻抗源和负载。

2、L型滤波器

由一个电感器和一个电容器组成。这种滤波器

可以提供高的输入阻抗，也可提供低的输入阻抗，

取决于电路的安装方向。LT电路适用于高阻抗负载，

低阻抗源的情况。LB电路适用于低阻抗负载，高阻

抗源的情况。

3、π型滤波器

π型滤波器由一个电感器两个电容器构成。它

的输入端和输出端都呈低阻抗性，因为元件比L型

或C型多，故抑制性能要好的多。但在开关电路中

有时会出现“振铃”现象。

4、带瞬变抑制器的π型滤波器

这种π型滤波器在其输入端增加了一个瞬变抑制

器，它具有较好的高频抑制性能，同时可以防止电压

尖峰。

5、T型滤波器

这种滤波器包括两个电感器和一个电容器，它的

两端都是高阻抗，其插入损耗性能和π型滤波器相似

。但它不易出现“振铃”现象，可用在开关电路中。

6、双T型滤波器（多级滤波器）

多级滤波器是为源和负载都为低阻抗的电路设计

的高性能滤波器，它们也可用在要求高插入损耗的其

他情况。在滤波器的输入端用一个电感器，有利于

与美军标MIL-STD-461D（国军标GJB-151A）的

测试装置匹配。

二、各种滤波电路的衰减特性：

不同的滤波电路有着不同的滤波特性（见右图）。

一般而言，C型电路的滤波衰减曲线较平坦，没有

明显的拐点，适用于大多数电子设备；L型电路

Pi型电路和T型电路的滤波衰减曲线较C型电路

拐点明显，适用于抑制的干扰信号与有用信号频

率接近的的场合。但当工作频率为方波时，要注意

这些电路的感性和容性器件的量值要选用恰当，避

免一味追求滤波衰减性能，而把有用信号的波形部

分衰减，导致设备工作反而不正常。

各种滤波电路滤波特性图

一、EMI感性和容性器件的选择：

滤波电容

EMI滤波器所用电容一般为穿芯式陶瓷电容，穿芯式的结构可有效防止高频信号在输入输出端之间直

接耦合，且寄生电感小自谐振频率较高，这种同轴性的、低通高阻的设计组合，在1GHz的频率范围内，

可以提供高效的EMI抑制。这种电容的容值可以在几pF到几μF之间，工作电压高可达几千VDC。由于

穿芯式电容的介质是陶瓷介质，陶瓷介质的容量会随着温度的变化而发生漂移，这种变化会影响容性器件

的滤波截止频率。故在设计选择时不但要考虑工作温度，而且要重视工作电压，以防陶瓷介质被击穿。

常见陶瓷电容的技术指标：

COG（NPO）X7RZ5UY5V

EIA介质类别

超稳定稳定一般用途

工作温度范围-55℃～+125℃-55℃～+125℃-10℃～+85℃-10℃～+85℃

随温度变化而变化率0±30ppm/℃±15%+22%～-56%+22%～-82%

4

绝缘电阻Ri≥10MΩCr≤25nFRi≥4000MΩ；Cr≥25nFRixCr≥100s

Cr＞50pf≤0.015

损耗（tanδ）Cr≤50pf≤0.0015＜0.025＜0.03＜0.05

（15/Cr+0.7）

工作电压施加工作电压的倍数（加压时间5秒，充电电流50max）

200VX2.5X2.5X2.5X2.5