透明导电薄膜用Sb掺杂SnO2光电特性研究[设计+开题+综述] .pdfVIP

透明导电薄膜⽤Sb掺杂SnO2光电特性研究[设计+开题+综

述]

开题报告

电⼦信息科学与技术

透明导电薄膜⽤Sb掺杂SnO2光电特性研究

⼀、选题的背景与意义

近年来，随着科技的进⼀步发展，太阳能电池，⾼分辨率，⼤尺⼨平⾯显⽰器，节能红外反射膜等⼴泛应⽤，对透明导电膜的

需求越来越⼤。透明导电膜主要⽤于透明电极、屏幕显⽰、热反射镜、透明表⾯发热器、柔性发光器件、液晶显⽰器等领域。

这就要求透明导电膜不但要有好的导电性，还要有优良的可见光透光性。根据材料的不同，透明导电膜可分为⾦属透明导电薄

膜，氧化物透明导电膜、⾮氧化物透明导电薄膜及⾼分⼦透明导电薄膜。当前，氧化物及其复合氧化物薄膜的研究⼗分引⼈关

注。本课题主要研究的是Sb掺杂SnO2（简称ATO）体系。

ATO主要成分的SnO2因其优良的光电性能⽽被⼴泛应⽤于透明导电、固态⽓体传感器及催化等领域。在透明导电膜中，SnO2

因其优异的光电性能已被⼴泛应⽤，⼆氧化锡膜是较早获得商业应⽤的透明导电材料之⼀，SnO2是透明n型宽禁带半导体材

料，其Eg＝3.6eV（300K），纯SnO2的电阻率通常较⾼，其载流⼦浓度由氧空位决定，在SnO2中掺⼊少量的Sb离⼦能⼤幅

度降低SnO2的电阻率并保持良好的透光性。

⽽随着电⼦⼯业以及相关⾼新技术产业的⾼速发展，具有半导体特性⾦属氧化物导电粉末尤其是超细粉末（如掺杂锑的氧化

锡）由于其独特的稳定性和⼴泛的应⽤领域⽽得到迅速发展。

ATO（锑掺杂的⼆氧化锡）是⼀类新型浅⾊透明导电粉，它利⽤锑掺杂取代锡形成缺陷固融体时形成的氧空位或电⼦作为载流

电⼦导电的。ATO可做优良隔热粉、导电粉使⽤。其良好隔热性能，被⼴泛的应⽤于涂料、化纤、⾼分⼦膜等领域。此外作为

导电材料，在分散性、耐活性、热塑性、耐磨性、安全性有着其他导电材料⽆法⽐拟的优势。被应⽤于光电显⽰器件、透明电

极、太阳能电池、液晶显⽰、催化等⽅⾯。

⽬前制备ATO粉末的⽅法有多种，主要包括固相法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法、⾦属醇盐⽔解法、化学共沉淀法、⽔热法、

⽹络聚合法等等。采⽤固相法时合成温度⾼，粉体掺杂不均匀，粒度⼤并且容易引⼊杂质，所制粉体的电阻⾼，达不到使⽤要

求，因⽽在ATO纳⽶粉体的合成中很少采⽤。采⽤溶胶⼀凝胶法由于要以⾦属有机醇盐为原料，因⽽成本⽐较⾼。化学共沉淀

法由于具备制备⼯艺简单、成本低、易于

控制、合成周期短等优点，成为研究最多的制备⽅法。但⽬前的化学共沉淀法不适合制备⾼性能的纳⽶ATO粉体。结合本课题

的研究特点，故采⽤⽔热法进⾏制备。

纯净的SnO2不导电，在SnO2中掺杂锑之后才具有半导性。因为掺杂物锑是可变价氧化物，氧化⽓氛下，Sb3+可能被氧化成

Sb5+。系统中同时存在有Sb3+和Sb5+，由于Sn4+离⼦半径为0.074nm，Sb3+离⼦半径为0.076nm，Sb5+离⼦半径为

0.060nm，可见Sb3+与Sb5+离⼦半径与Sn4+接近，可进⼊SnO2晶格取代Sn4+的位置。根据掺杂理论，不等价取代时，为了

维护电中性，可以通过两种⽅式进⾏补偿：⼀种是通过导电电⼦补偿(电⼦补偿)，⼀种是通过⾦属离⼦缺位进⾏补偿(缺位补

偿)。电⼦补偿⽣成导电或半导电材料，缺位补偿则可能形成绝缘材料。因此，ATO具有半导性。

对于ATO⽽⾔，Sb掺杂量的不同直接影响到透明导电膜的导电性以及透明度。从⽬前的研究成果看，过多或过少的Sb离⼦都

不利于SnO2薄膜的导电。在掺杂量为1％时存在⼀个最低值。锑的掺杂量在5％之前对膜的透明度没有太⼤的影响，当超过5％

时候，薄膜的透明度迅速下降。

当前对ATO薄膜的研究有以下4个⽅⾯:

1、晶体结构,其中包括了X射线衍射分析以及扫描电镜分析。

2、X射线电⼦能谱分析，主要是ATO样品的XPS分析。

3、电学性能，采⽤的是四探针仪器进⾏研究。

4、光学性能，包含了紫外-可见-近红外光谱和红外热反射特性以及膜厚分析。

本课题将在原有基础进⼀步展开对ATO的研究。

⼆、研究的基本内容与拟解决的主要问题：

1.基本内容

本课题⽬的旨在对ATO的光电特性研究，故⾸先需要完成有关SnO2纳⽶粉体的制备，⽬前制备SnO2纳⽶粉体的⽅法有化学沉

淀法，⽔热法，微乳液法，溶胶-凝胶法等，本课题主要采⽤⽔热法进⾏制备，再通过对反应条件的控制制备不同Sb掺杂量的

SnO2纳⽶粉体。通过对Sb/SnO2的性能表征包括其微观结构表⾯化学特性及光电性能，系统地了解和对⽐不同Sb/SnO2的化

学性能。

2.拟解决的主要问题