ESD保护设计研讨会 (英文).pptx

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2024-11-19 发布于广东
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ESD保护设计研讨会 (英文).pptx

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ESD保护设计研讨会(英文)

OutlineWhatisESD?Whatdamagecanitcause?Whyistheproblemgrowing?Whataretheissuesforthedesigner?Howcanwemeasureit?HowcanweprotectequipmentfromESD?

WhatIsESD?ESD=ElectroStaticDischargeGenerationTriboelectric(frictioncausesaccumulationofcharge)Induction(fieldinducescharge)DischargeDielectric(air)breakdownElectricfieldincreaseswhenchargedbodiesapproacheachotherCurrentflowintocircuitry

ESDDamageofICsPermanentOxidebreakdown,shorts,opens,latch-upTemporaryLatch-up,groundbounceLatentDegradationfromanESDevent

ESDproblemisgrowingCircuits/SystemsOld-RobustICsLowspeedsignalsNew-SensitiveICsHighspeedsignalsEnvironmentOld-Manufacturing/CorporateNew-Home/Outdoors/Person

ESDIssuesfortheDesignerMustmeetESDspecificationsSelectESDtolerantcomponentsMinimizesignaldegradation(fromR,LC)Boardspace/weight/properdesignComponentcostAssemblycostLifetimecost(stability)Testthesystem

InternationalESDStandardsHumanBodyModel(HBM)-fordevicesEIA/JESD22-A114-AANSI/EOS/ESD-S5.1-1993MIL-STD-883(method3015)IEC1000-4-2:1995-forsystemsMachineModel(MM)-lesscommonEIA/JESD22-A115-AANSI/EOS/ESD-S5.1-1993ChargeDeviceModel(CDM)-lesscommonJESD22-c101

HumanBodyModel(HBM)Dischargefrom100pFcapacitorthrough1.5kOhmresistor6ESDpulses3positive,3negative1secseparationPin-to-pintestingN(N-1)/2combinationsUsedforcomponentcharacterizationWidelyused

HBMCurrentWaveformRiseTime:2nSTr10nS

IEC1000-4-2:1995StandardDischargefrom150pFcapacitorthrough330ohmresistor6ESDpulses3positive,3negativeUsedforsystemcharacterization“Contact”v.“Air”dischargeDifferentlevelsDifferentapplications

IEC1000-4-2CurrentWaveformVeryfastrisetime:Tr1nS60ns

IEC1000-4-2TestLevelsContactdischargeisthepreferredtestmethod-airdischargesarenotrepeatableAirdischargesuse

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