电光调Qppt课件近年原文.ppt

器件的结构形式全水冷式半水冷半空冷式半水冷多次反射吸收式*驱动声功率的确定材料与水的品质因数比值He-Ne激光波长*例子：声光介质选用熔融石英，，若声光介质中超声场尺寸为：H＝5mm，L＝50mm，得到100％衍射效率时的声功率。而每瓦的衍射效率为2.7％。因此，要克服连续YAG激光器中20％～30％的增益，则需要大于10W的功率才能使激光器停止振荡，考虑到电声转换效率一般小于50％，所以高频振荡驱动电源的功率应定为20瓦左右为宜。*声光调Q动态特性与输出特性声光调Q激光器的动态试验装置**声光调Q激光器的输入——输出特性重复频率1KHz*调Q重复率对输出性能的影响输入功率不变（3.5Kw）*参量值的影响越大，则峰值功率越高，脉冲宽度越窄，脉冲上升沿越短。声光调Q激光器输出激光脉宽比电光调Q宽十几倍，主要是由于连续氪灯的泵浦速率要比脉冲氙灯的抽运速率低2～3个数量级，因而较低。衍射效率的影响提高泵浦功率可使峰值功率增加，但泵浦功率增加到与衍射效率相适应的值时，只有在提高衍射效率，增加衍射损耗下才能进一步增加泵浦功率以获得较高的峰值功率。*§2.3电光调Q特点开关时间短（约10－9秒）效率高脉冲窄（10～20ns）峰功率高（几十兆瓦以上）快开关——在谐振腔内加特制的电光调制器实现Q值变化。*2.3.1带偏振器的电光调Q器件——一种发展早、应用广的电光调Q装置。格兰－付克棱镜KD*P晶体纵向应用基本结构*工作原理输出镜偏振棱镜Nd:YAG全反镜②当上能级反转粒子数积累到最大值时，突然撤去电压，谐振腔处于高Q状态，雪崩式形成激光振荡输出。①开始时，施加波电压，此时，电光Q开关处于关闭状态，谐振腔处于低Q状态，系统处于储能状态；2.3.1带偏器的电光调Q器件带偏振器的Q开关激光器需加偏振器，使腔内元件增多，增加了腔内损耗，降低了调Q效率。*①打开主电源，接好电路，但暂不点燃氙灯；2.3.1带偏器的电光调Q器件③点燃氙灯，给工作物质能量，使反转粒子数累积到最大；后撤掉晶体电压，使腔Q值突增，形成激光振荡，输出巨脉冲。工作流程②打开晶体电源，对KDP晶体加电压，使腔处于关闭状态；*1.KDP主要运用纵向方式2.KDP横向运用存在与外加电场无关的自然双折射造成的附加相位差，影响调Q的效果。采用组合的结构可以消除附加相位，但要求加工精度高，使用困难。3.LN电光晶体横向应用晶体的运用方式2.3.1带偏器的电光调Q器件*2.3.2单块双450电光调Q器件——利用铌酸锂晶体的横向电光效应制成。仅有一块斜方棱镜，它有两个角均为45度，起偏、调制、检偏都在一块晶体内完成。基本结构光轴：z轴电压沿x方向施加*LN晶体的横向电光效应简介①未加电场时：②X方向加电场时:*未加电压情况很小，两光束几乎重叠2.3.2单块双450电光调Q器件l为晶体z向长度*施加半波电压情况2.3.2单块双450电光调Q器件*施加半波电压情况2.3.2单块双450电光调Q器件晶体的y向尺寸若晶体的尺寸*两点结论单块双45度LiNbO3晶体，第一个45度反射面的前段相当于一个起偏器，它能产生o光和e光两束线偏光，第二个45度反射面的后段相当于一个检偏器，所以双45度LN晶体等效于在两个偏振器之间夹一块调制晶体。当在晶体上加有半波电压时，通过晶体的o光和e光都偏离原入射光的传播方向，这时Q开关处于“关闭”状态，当光泵激励工作物质，上能级反转粒子数积累到最大值时，瞬间撤去半波电压，则o光和e光经晶体后的出射光平行于入射光，Q开关打开，激光振荡得以形成得到巨脉冲。2.3.2单块双450电光调Q器件*讨论：LN晶体Q开关的误差2.3.2单块双450电光调Q器件有很多原因造成误差，使得在加压时令门“关不死”，在不加压时有部分光偏离出腔外，造成输出光降低。原因：1.晶体在加工时造成的误差。不够准确，光轴有些偏离。2.入射的光束不能严格地垂直入射面等。3.入射光有一定的发散角，因此相当于有一部分光束不是垂直入射面入射。4.o、e光走的路程不同，因此当时，o、e光并非完全旋转90度。*双Q开关的特点2.3.2