半导体物理第七章金属和半导体的接触.pptVIP

半导体物理第七章：金属和半导体的接触目录引言金属和半导体的能带结构金属和半导体的接触机制金属和半导体的接触特性金属和半导体的接触模型金属和半导体的接触实验研究结论01引言金属具有良好的导电性，其内部自由电子较多，容易形成电流。金属的能带结构特点是存在一个未填满的导带。半导体的导电性能介于金属和绝缘体之间。其内部存在一个或多个能隙，使得电子在特定条件下才能跃迁到导带。常见的半导体材料有硅、锗等。金属和半导体的特性半导体金属0102接触的物理意义理解金属和半导体的接触性质有助于优化电子器件的性能，如减小接触电阻、提高器件稳定性等。金属和半导体的接触在电子器件中具有重要应用，如接触电阻、欧姆接触等。02金属和半导体的能带结构金属的能带结构01金属的能带结构通常具有未填满的传导带，使得金属具有良好的导电性。02金属的费米能级位于传导带中，意味着金属中的电子可以自由移动，形成电流。金属的能带结构决定了其导电性能和热传导能力，对金属的物理和化学性质有重要影响。03半导体的能带结构01半导体的能带结构通常具有一个带隙，即价带和导带之间的能量差距。02半导体的费米能级通常位于带隙中，这意味着半导体在常温下既不导电也不绝缘。03半导体的能带结构决定了其光电性能、磁学性能和化学性能等，是实现电子器件功能的基础。123由于金属和半导体的能带结构不同，当它们接触时，电子会从能态较高的金属流向能态较低的半导体，形成接触势垒。这个接触势垒会影响金属和半导体之间的电流传输和热传导，进而影响电子器件的性能。通过优化金属和半导体的能带结构，可以改善它们之间的接触性能，提高电子器件的稳定性和可靠性。能带结构的差异对接触的影响03金属和半导体的接触机制整流接触整流接触是指金属和半导体之间形成的具有整流特性的接触，即电流在接触处只能单方向流动。总结词整流接触的形成是由于金属和半导体的功函数差异导致空间电荷区的形成，使得接触处能带发生弯曲，从而实现电子的整流特性。整流接触通常具有较低的接触电阻和较高的热稳定性。详细描述欧姆接触是指金属和半导体之间形成的具有欧姆电阻特性的接触，即电流在接触处可以双向流动，且电阻与电流成线性关系。总结词欧姆接触的形成需要满足一定的条件，包括金属与半导体之间要有良好的化学相容性和冶金相容性，以及半导体内部载流子浓度要足够高。欧姆接触在集成电路和电子器件中具有广泛应用。详细描述欧姆接触隧道结总结词隧道结是指金属和半导体之间形成的具有隧道传输特性的结，当外加电压达到一定阈值时，电流可以通过隧道效应穿过势垒。详细描述隧道结的特点是电流随电压的增大而急剧增大，表现出非线性特性。隧道结在微电子器件、传感器和光电器件等领域有重要应用，如隧道二极管、隧道晶体管等。04金属和半导体的接触特性总结词接触电阻是指金属和半导体接触时产生的电阻，其大小与金属和半导体的性质、接触面的清洁度、温度等因素有关。详细描述当金属与半导体相接触时，由于金属和半导体的功函数不同，会产生电子的转移。这种电子的转移会导致在接触区域形成一个势垒，阻碍电子的流动，从而产生接触电阻。接触电阻的大小与金属和半导体的性质、接触面的清洁度、温度等因素有关。接触电阻VS热导率是指材料传导热量的能力，金属和半导体的热导率差异较大，这会影响它们之间的热交换效率。详细描述金属的热导率较高，而半导体的热导率相对较低。因此，当金属与半导体接触时，热量在两者之间的传递会受到阻碍，这可能导致半导体的温度升高或金属的温度降低。这种热导率的差异会影响它们之间的热交换效率，因此在设计金属和半导体的接触结构时需要考虑这一因素。总结词热导率电导率是指材料传导电流的能力，金属和半导体的电导率不同，这会影响电流在它们之间的流动。总结词金属的电导率较高，而半导体的电导率较低。当电流通过金属与半导体的接触区域时，由于电导率的差异，会导致电流在接触区域产生散射，从而影响电流的传导。此外，由于金属和半导体的功函数不同，电子在两者之间的流动也会受到阻碍，进一步影响电流的传导。因此，在设计金属和半导体的接触结构时，需要考虑电导率的差异对电流传导的影响。详细描述电导率05金属和半导体的接触模型理想接触模型假设金属和半导体之间没有相互作用，即没有电子的转移或占据。在理想接触中，金属和半导体的费米能级相等，因此没有电压降。理想接触模型适用于描述金属和半导体之间的弱相互作用。理想接触模型03巴丁结模型适用于描述金属和n型半导体之间的接触。01巴丁结模型考虑了金属和半导体之间的电子转移和占据。02在巴丁结中，金属的费米能级高于半导体的费米能级，导致电子从半导体流向金属