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有什么方法可以去除晶圆键合边缘缺陷

去除晶圆键合边缘缺陷的方法主要包括以下几种：

一、化学气相淀积与平坦化工艺

方法概述：

提供待键合的晶圆。

利用化学气相淀积的方法，在晶圆的键合面淀积一层沉积量大于一定阈值（如1.6TTV）的氧化物薄膜。

对氧化物薄膜进行致密化工艺。

对经致密化工艺后的氧化物薄膜进行平坦化工艺，确保平坦化的研磨量和氧化物薄膜的剩余量满足一定条件（如平坦化的研磨量大于0.9TTV，氧化物薄膜的剩余量大于0.4TTV）。

进行晶圆键合。

优点：

通过淀积和平坦化工艺，可以有效覆盖和减少晶圆键合边缘的缺陷。

为后续制程提供较好的基底，提高产品的良率。

二、视觉检测与修正工艺

方法概述：

利用视觉检测机构获取磨削后的晶圆的图像。

根据图像获取晶圆的边缘缺损的宽度。

根据宽度采取相应措施处理晶圆的边缘，直至宽度满足预设条件。

设备要求：

晶圆减薄设备需包括设备前端模块、磨削模块和控制模块。

磨削模块设有晶圆边缘处理装置和视觉检测机构。

控制模块分别耦接晶圆边缘处理装置和视觉检测机构以实现此方法。

优点：

通过视觉检测可以精确获取晶圆边缘缺损的宽度。

根据检测结果进行修正，可以确保晶圆边缘的缺损宽度满足预设条件，提高晶圆的质量。

三、去除晶边缺陷的特定工艺

方法概述：

提供衬底，并在衬底上形成集成电路器件。

在半导体衬底上形成前层互连结构。

在前层互连结构上形成硬掩膜层、牺牲层等结构。

通过图形化、回刻蚀等步骤形成侧墙结构，并在衬底边缘处形成缺陷源。

形成覆盖芯轴图形的光刻胶层，利用晶边刻蚀工艺去除晶边的光刻胶层、需去除的膜层和缺陷源。

去除剩余的光刻胶层和牺牲层。

优点：

该方法针对晶边缺陷进行精确去除，避免了晶边刻蚀工艺损伤晶圆图形的风险。

工艺简单，方便实现，能够提高产品良率。

四、其他注意事项

工艺选择：

根据具体的晶圆材料和工艺要求，选择合适的去除晶圆键合边缘缺陷的方法。

质量控制：

在去除晶圆键合边缘缺陷的过程中，需要严格控制各项工艺参数，确保工艺的稳定性和可靠性。

设备维护：

定期对晶圆减薄设备和相关工艺设备进行维护和保养，确保设备的正常运行和精度。

综上所述，去除晶圆键合边缘缺陷的方法有多种，包括化学气相淀积与平坦化工艺、视觉检测与修正工艺以及去除晶边缺陷的特定工艺等。在实际应用中，需要根据具体情况选择合适的方法，并严格控制工艺参数和设备精度，以提高晶圆的质量和良率。

四、高通量晶圆测厚系统

高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（TotalThicknessVariation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（TotalIndicatedReading总指示读数，STIR（SiteTotalIndicatedReading局部总指示读数），LTV（LocalThicknessVariation局部厚度偏差）等这类技术指标；

高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，传统上下双探头对射扫描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片，一次性测量所有平面度及厚度参数。

1,灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。

重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测）

粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆）

低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比）

绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。

可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。

可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，一改过去传统晶圆测量对于“主动式减震平台”的重度依赖，成本显著降低。

2，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。