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光电信息功能材料复习知识点

光电信息功能材料复习知识点

1.材料分类：物理功能材料，化学功能材料，⽣物功能材料，功能转换材料

2.功能材料：具有优良的光、电、磁、热、声学、⼒学、化学和⽣物学功能及其相互转化

的功能，被⽤于⾮结构⽬的具有特定功能的材料。

3.现在是材料的功能设计时代

4.光电信息材料：指?⽤于制造各种光电设备（主要包括各种主、被动光电传感器、光电

转换器、光电显?⽰、光信息处理和存储装置、光通信等）的材料

5.功能材料按照功能的显⽰过程可以分为⼀次功能材料和⼆次功能材料（有能量形式变化）

6.薄膜制备⽅法：物理⽓相沉积PVD，化学⽓相沉积CVD，溶液镀膜法

7.溅射：直流，射频，磁控，离⼦束

8.离⼦镀：结合真空蒸镀和溅射的特点

9.新的CVD：?⾦属有机化合物化学?⽓相淀积（MOCVD）；等离?⼦增强化学?⽓相沉

积（PECVD)

10.薄膜的⽣长模式可以归结为以下三种形式：岛状⽣长模式；层状⽣长模式；层岛复合⽣

长模式（浸润性区别）

11.粉体材料制备⽅法：（1）机械粉碎法（2）⽓体蒸发法（3）溶液法（4）激光合成法（5）

等离⼦体合成法（6）射线辐照合成法（7）溶胶-凝胶法

12.纳⽶陶瓷的制备：制粉，成型，烧结

13.外光电效应：指物质受光照后⽽激发的电⼦逸出物质的表⾯，在外电场作⽤下形成真空

中的光电⼦流。这种效应多发⽣于⾦属和⾦属氧化物

14.内光电效应：指受光照⽽激发的电⼦在物质内部参与导电，电⼦并不逸出光敏物质表⾯

15.内光电效应之光电导效应：半导体内部价带原⼦吸收光⼦的能量跃迁到导带，半导体内

部载流⼦数⽬增多，电导率增加的效应

16.内光电效应之光⽣伏特效应：半导体吸收光⼦产⽣电⼦空⽳对，并且在PN结内建电场

的作⽤下形成光电压

17.GaN是的蓝光半导体激光器材料

18.ZnSe是?⼀种蓝绿光半导体激光器材料

19.红光半导体激光器材料主要有InGaAlP和InGaP/GaAsP等

20.光电⼦集成电路OEIC：把光器件和电⼦器件都集成在同⼀基⽚上的集成电路

21.标准测试条件：AM1.5地⾯太阳光谱辐照度分布光源辐照度：1000W/m2，测试温度：

25±2°C

22.暗电流(ID)是指器件在反偏压条件下,没有⼊射光时产⽣的反向直流电流

23.Rsh对光电流的影响较⼩，⽽对开路电压的影响较⼤

24.Rs对开路电压的影响⼏乎没有，但对短路电流却有很⼤的影响

25.温度上升，硅电池的开路电压降低，短路电流增⼤

26.太阳光伏系统：⼀般我们将光伏系统分为独⽴系统、并?⽹系统和混合系统

27.Ge、Si、InP、GaAs的禁带宽度在室温下分别为0.66eV、1.12eV、1.35eV、1.42eV

28.硅料制备：改良西门⼦法；硅烷法——硅烷热分解法；流化床法

29.多晶硅是⽣产单晶硅的直接原料。被称为微电⼦⼤厦的基⽯“”

30.实现多晶硅定向凝固⽣长的四种⽅法：布⾥曼法?热交换法?电磁铸锭法?浇铸法

31.单晶硅制备：单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或⽆定形硅，然后⽤直拉法（CZ）或悬

浮区熔法（FZ）从熔体中⽣长出棒状单晶硅

32.多晶硅与单晶硅的差异：主要表现在物理性质⽅⾯，在⼒学性质、光学性质和热学性质

的各向异性⽅⾯，远不如单晶硅明显；在电学性质⽅⾯，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚⾄于⼏乎没有导电性；

在化学活性⽅⾯，两者的差异极⼩

33.硅基太阳能电池结构：

34.HIT太阳能电池：HIT太阳能电池是采⽤HIT结构的硅太阳能电池，所谓

HIT(HeterojunctionwithintrinsicThinlayer)结构就是在P型氢化⾮晶硅和n型氢化⾮晶硅与n型硅衬底之间增加⼀层⾮掺杂(本

征)氢化⾮晶硅薄膜，采取该⼯艺措施后，改变了PN结的性能。全部⼯艺可以在200℃以下实现。

35.⾮晶硅薄膜中掺氢，使得悬挂键被氢化，降低了材料的缺陷体密度，可以实现半导体n

型或者p型掺杂

36.薄膜太阳能电池：⾮晶硅太阳能电池；CIGS薄膜太阳能电池；CdTe薄膜太阳能电池；染

料敏化太阳能电池；有机薄膜太阳能电池

37.CIGS：以铜铟镓硒为吸光层的⾼效太阳能薄膜电池，是⽬前综合性能最好的薄膜太阳能

电池

38.CdTe结构

39.太阳能电池的三⼤问题：成本；效率；稳定性

40.介观：介于宏观与微观之间的种体系

41.介观尺度就是指介于宏观和微观之间的尺度，⼀般认为它的尺度在纳?⽶和毫?⽶之间

42.介观太阳能电池：具有介观结构的太阳能电池，总称为介