一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103280394A

(43)申请公布日2013.09.04

(21)申请号CN201310183856.2

(22)申请日2013.05.17

(71)申请人中国电子科技集团公司第十三研究所

地址050051河北省石家庄市合作路113号

(72)发明人王晶晶冯志红何泽召蔚翠

(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所

代理人陆林生

(51)Int.CI

H01L21/02

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种在金刚石表面制作稳定耐高温

氢端基导电沟道的方法

(57)摘要

本发明公开了一种在金刚石表面制

作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，包

括以下步骤：一、在衬底上形成高阻金刚

石层；二、在高阻金刚石层的上表面经处

理形成氢端基金刚石；三、将上述样品置

于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处

理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附

含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极

性分子或官能团，从而在氢端基金刚石下

表面10-20nm处形成p型导电沟道，在氢

端基金刚石的上表面形成极性分子吸附

层；四、将上述样品取出后常温淀积介质

阻挡层。所述方法可使p型金刚石材料沟

道内的载流子浓度和迁移率在20℃-500℃

范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在

高温环境下正常工作。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，其特征在于包括以下

步骤：

（1）在衬底（1）上形成高阻金刚石层（2）；

（2）在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；

（3）将上述经过步骤2处理后的样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处

理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极

性分子或官能团，从而在氢端基金刚石的上表面之下10-20nm处形成p型导电沟

道（3），在氢端基金刚石的上表面之上形成极性分子吸附层（4）；

（4）将上述经过步骤3处理后的样品取出后常温淀积介质阻挡层（5），防止吸附

了极性分子和官能团的氢端基金刚石表面直接暴露于环境中。

2.根据权利要求1所述的一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，

其特征在于所述步骤（1）为：使用微波等离子体化学气相沉积法在衬底上形成高

阻金刚石层。

3.根据权利要求1所述的一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，

其特征在于所述步骤（2）为：在高阻金刚石层的上表面使用氢等离子体处理法或

化学掺杂法形成氢端基金刚石。

4.根据权利要求1所述的一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，

其特征在于所述含有极性分子的气体为NOsub2/sub和Nsub2/sub的混合

气、NHsub3/sub和Hsub2/sub的混合气、CFsub4/sub、

COsub2/sub或Osub3/sub；含有极性分子的溶液或溶胶为聚甲基丙烯酸甲

酯PMMA、倍半氧硅氢化物HSQ或偏苯三甲酸酐TMA。

5.根据权利要求1所述的一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，

其特征在于所述介质阻挡层为Alsubx/subOsuby/sub、

Sisubx/subOsuby/sub、Hfsubx/subOsuby/sub、

Sisubx/subNsuby/sub，Bsubx/subNsuby/sub或Csub60/sub

中的一种或几种介质组合形成的介质阻挡层。

说明书

p技术领域

本发明涉及半导体器件制造方法技术领域。

背景技术

金刚石材料具有优异的力学、光学、声学特性，同时作为一种宽禁带半导体材料，

其拥有5.