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TCO透明导电薄膜简介前言透明导电氧化物transparentconductiveoxide简称TCO

薄膜主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料具有禁带宽、

可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性广泛地应用于太阳能电池、平面

显示、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。透明导电薄膜以掺锡氧化铟

tindopedindiumoxide简称ITO为代表研究与应用较为广泛、成熟在美日等国已产业化

生产。近年来ZnO薄膜的研究也不断深入掺铝的ZnO薄膜简称AZO被认为是最有发

展潜力的材料之一。同时人们还开发了Zn2SnO4、In4Sn3O12、MgIn2O4、CdIn2O4

等多元透明氧化物薄膜材料。TCO薄膜的制备工艺以磁控溅射法最为成熟为进一步

改善薄膜性质各种高新技术不断被引入制备工艺日趋多样化。本文综述以ITO和

AZO为代表的TCO薄膜的研究进展及应用前景。一、TCO薄膜的发展TCO薄膜

最早出现于20世纪初1907年Badeker首次制成了CdO透明导电薄膜引起了人们的较

大兴趣。但是直到第二次世界大战由于军事上的需要TCO薄膜才得到广泛的重视和

应用。1950年前后出现了SnO2基和In2O3基薄膜。ZnO基薄膜兴起于20世纪80年代。

相当长一段时间这几种材料在TCO薄膜中占据了统治地位。直到上世纪90年代中期

才有新的TCO薄膜出现开发出了多元TCO薄膜、聚合物基体TCO薄膜、高迁移率TCO

薄膜以及P型TCO薄膜。而SnO2基和In2O3基材料也通过掺加新的元素而被制成了高

质量TCO薄膜。最近据媒体报导美国俄勒冈大学研究人员对TCO材料的研究取得重

大突破他们研制出一种便宜、可靠且对环境无害的透明导电薄膜材料。该材料可用

于制作透明晶体管用来制造非常便宜的一次性电子产品、大型平面显示器和可折叠

又方便携带的电器。科学家称这项研究成果将引导新产业和消费领域的发展。这种

薄膜材料的成分是无定型重金属阳离子氧化物与导电物质碳相比具有很多优点相对

于有机聚合体导电物质来说亦具有较高的灵活性和化学稳定性容易制造也更加坚

硬。在室温条件下这种材料就有良好的性能可把它当作一般的导电物质使用。该材

料无定型没有太长的晶体结构链可使制造费用大大降低还可拉伸、防腐蚀化学性质

稳定表面光滑。制造和生产这些物质的原料主要有金属锌和锡它们都对环境无害。

二、TCO薄膜的特性TCO薄膜为晶粒尺寸数百纳米的多晶层晶粒取向单一。目前研

究较多的是ITO、FTOSnO2∶F和AZO这些氧化物均为重掺杂、高简并半导体半导化

机理为化学计量比偏移和掺杂其禁带宽度一般大于3eV并随组分不同而变化。它们

的光电性质依赖于金属的氧化状态以及掺杂剂的特性与数量一般具有高载流子浓度m-3但迁移率不高电阻率达10-4Ω??cm量级可见光透射率8090。TCO薄膜

的低电阻率特性由载流子浓度决定但由于多晶膜的导电机理比较复杂低电阻率成因

尚待进一步研究。2-1SnO2基薄膜最早获得的具有应用价值的透明导电膜NESA

商品名就是在玻璃上镀一层SnO2薄膜但纯的SnO2薄膜性能不及掺杂后的SnO2基薄

膜因而现在得到广泛应用的是掺杂的SnO2薄膜掺杂效果最好的是Sb和F掺Sb的

SnO2薄膜简称ATO掺F的SnO2薄膜简称FTO。P、As、Te、Cl等也可以作为SnO2

薄膜的掺杂剂。Ma。Honglei等采用APCVD法制备的FTO薄膜电阻率可达

5×10-4Ω??cm在可见光区的透射率大于90。Shanthi。S等采用喷射热分解法制得了电

阻率为9×10-4Ω??cm可见光区透射率达80以上的ATO薄膜。2-2In2O3基薄膜掺锡

的In2O3薄膜ITO仍然是目前研究和应用最广泛的透明导电膜ITO薄膜有复杂的立方

铁锰矿结构电阻率一般在10-310-4Ω??cm之间可见光的透射率达85以上。例如

SutapaRoyRamanam用溶胶-凝胶法制备的ITO薄膜电阻率可达5.4×10-4Ω??cm可见光

的透射率可达90。众多的文献资料称锡掺杂量为10原子分数时ITO薄膜具有最优的

光电性能。为了进一步降低电阻率AnnetteHultaker等在ITO中加入少量银研究发现采

用这种办法可以降低后续处理的温度并能得到高性能的透明导电薄膜。

MinamiTadatsugu等人采用直流磁控溅射法制备了掺Zn的ITO薄膜具有良好的刻蚀

性和低的电阻率。复旦大学的孟扬等采用传统的