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半导体芯片制造中、高级工考试题

1、填空（江南博哥）大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。

解析：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列

2、单选人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

答案：A

3、问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图

结构？简述原因。

解析：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。

采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情

况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN

结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。

（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。

因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，

将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由

于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉

指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

4、填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成

电路切开时的切口叫（）。

解析：划片槽

5、填空半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成

分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、

固溶半导体三大类。

解析：半导体；化合物

6、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。

解析：在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接

着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，

长大成为单晶层。化学方程式如下：

7、填空化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面

的杂质除去。

解析：酸性；氧化性

8、问答题集成电路封装有哪些作用？

解析：（1）机械支撑和机械保护作用。

（2）传输信号和分配电源的作用。

（3）热耗散的作用。

（4）环境保护的作用。

9、填空外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、

金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

解析：化学气相；液相；原子束外延

10、填空半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。

一种是（），另一种是（）。

解析：电子；空穴

11、填空对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内

容：（）、和（）、（）、（）。

解析：逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库

12、单选属于绝缘体的正确答案是（）。A.金属、石墨、人体、大地

B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、锗、砷化镓、磷化铟

D.各种酸、碱、盐的水溶液

答案：B

13、填空腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。

解析：各向异性

14、问答题什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

解析：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。

对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整

齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准

确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被

腐蚀物质。

15、填空离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过

程。

解析：动能；非平衡

16、多选硅外延生长工艺包括（）。A.衬底制备

B.原位HCl腐蚀

C.生长温度，生长压力，生长速度

D.尾气的处理

答案：A,B,C,D

17、单选二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A.

预

B.再

C.选择

答案：C

18、填空用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜色（）、

结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。

解析：是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔

19、单选在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干

氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）A、干氧

B、湿氧

C、水汽氧化

D、不能确定哪个使用的时间长

答案：A

20、单选离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A.能量

B.剂量

答案：A

21、填空光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、

腐蚀、（）等步骤。

解析：前烘；显影；去胶

22、多选下列材料属于N型半导体是（）。A.硅中掺有元素杂质磷

（P）、砷（As）

B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）

C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）

D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

答案：A,C

23、单选恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）A、

高