半导体器件物理试卷及答案2套 .pdfVIP

《半导体器件物理》试卷（一）

一、填空（共32分，每空2分）

1、PN结电容可分为和两种，它们之间的主要区别。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对

VT的影响为，对于窄沟道器件对VT的影响为。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受电压控制，其基极电流IB受电压控制。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是。

5、PN结击穿的机制主要有等几种，其中发生雪崩击穿的条件为。

6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因

有，和。

二、简述（共18分，每小题6分）

1、Early电压V。

A

2、截止频率f。

T

3、耗尽层宽度W。

三、分析（共20分，每小题10分）

1、对于PNP型BJT工作在正向有源区时载流子的输运情况；

2、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲

线。（每个图2分）

四、计算推导（共30分，每小题15分）

1、MOSFET工作在非饱和区时的Sah方程推导，并求解跨导gm和沟道电导gD，说明提高

gm的具体措施；（每步2分，电导计算4分，措施3分）

2、在NPN双极型晶体管正向有源区工作时，，

，试求该器件正向电流增益，并说明提高的几种途径。其

中，，。（计算推导9分，措施

6分）

《半导体器件物理》试卷（二）

一、填空（共24分，每空2分）

1、PN结电击穿的产生机构两种；

2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；

3、晶体管特征频率定义；

4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；

5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；

6、BVCEO含义；

7、MOSFET短沟道效应种类；

8、扩散电容与过渡区电容区别。

二、简述（共20分，每小题5分）

1、内建电场；2、发射极电流集边效应；3、MOSFET本征电容；

4、截止频率。

三、论述（共24分，每小题8分）

1、如何提高晶体管的开关速度？

2、BJT共基极与共射极输出特性曲线的比较。

3、改善晶体管频率特性的主要措施。

四、计算（共32分）

1、试推导非饱和区MOSFET的Sah方程；（此小题10分）

2、长二极管I-V方程的推导计算；（此小题10分）

3、MOSFET的阈值电压VT的计算。（此小题12分）

《半导体器件物理》试卷（一）标准答案及评分细则

一、填空（共32分，每空2分）

1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于

过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷

区，其机理为多子的注入和耗尽。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对

VT的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受VBE电压控制，其基极电流IB受VBE电压控制。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响

应速度快等。

5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发生雪崩击穿的条