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实验二位错蚀坑的观察;一、实验目的;二、实验设备及材料;三、位错蚀坑的侵蚀原理;;;图1-2立方晶体中位错蚀坑形状与晶体外表晶向的关系;用蚀坑观察位错有一定的局限性，它只能观察在外表露头的位错，而晶体内部位错却无法显示；此外浸蚀法只适合于位错密度很低的晶体〔错密度小于106cm-2的晶体〕，如果位错密度较高，蚀坑互相重迭，就难以把它们彼此分开，所以此法一般只用于高纯度金属或者化合物晶体的位错观察。;表1晶体位错浸蚀条件;〔1-1〕PbMoO4〔001〕面位错蚀坑;ZnWO4晶体〔010〕晶面上的位错蚀坑;单晶硅〔111〕晶面上的位错蚀坑;位错是晶体中的线缺陷。单位体积晶体中所含位错线的总长度称位错密度。假设将位借线视为彼此平行的直线，它们从晶体的一面均延至另一面，那么位错密度便等于穿过单位截面积的位错线头数。;四、实验步骤;;;;;五、思考题
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