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士兰微电子SGT40T120SDB4P7说明书
40A、1200V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGT40T120SDB4P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代
槽栅场截止（TrenchFieldStopIV）工艺制作，具有低的导通损耗和开1
G
关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于变频器，UPS，
SMPS等领域。
3
特点E
40A，1200V，V(sat)(典型值)=1.8V@I=40A
CEC
超低导通损耗
快开关速度
高击穿电压12
3
TJmax=175C
TO-247-3L
命名规则
SGT40T120SDB4P7
士兰IGBT系列封装形式,如
P7:TO-247-3L
电流规格,如:
70表示70A等1,2,3,4…:版本号
N:N沟平面栅
NE:N沟平面栅带ESD空:标准二极管（Standard）
T:FieldStopIII和IVM:标准二极管、全电流规格（StandardFull）
U:FieldStopIV+R:快速二极管（Rapid）
V:FieldStopVB:快速二极管、全电流规格（RapidFull）
W:FieldStopVIS:超软二极管、全电流规格（SoftFull）
X:FieldStopVII
D:合封二极管
电压规格，如:
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