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士兰微电子SGT50U65FDM1P7说明书
50A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGT50U65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4
1
G
Plus（FieldStopIV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产
品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
3
E
特点
50A，650V，V典型值=1.95V@I=50A
CE(sat)()C
低导通损耗
1
2
快开关速度3TO-247-3L
高输入阻抗
命名规则
SGT50U65FDM1P7
士兰IGBT系列封装形式,如
P7:TO-247-3L
电流规格,如:
1,2,3:版本号
50表示50A等
N:N沟平面栅空:标准二极管（Standard）
NE:N沟平面栅带ESDM:标准二极管、全电流规格（StandardFull）
T:FieldStop3和4R:快速二极管（Rapid）
U:FieldStop4+B:快速二极管、全电流规格（RapidFull）
V:FieldStop5S:超软二极管、全电流规格（SoftFull）
W:FieldStop5+
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