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士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书
75A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场
1
G
截止（FieldStop5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品
可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
3
E
特点
75A，650V，V典型值=1.42V@I=75A
CE(sat)()C
低导通损耗
1
2
快开关速度3TO-247-3L
高输入阻抗
TJmax.=175C
命名规则
SGTP75V65SDB1P7
士兰IGBT系列封装形式，如
工业级P7：TO-247-3L
电流规格，如：
75表示75A等1,2,3：版本号
N：N沟平面栅空：标准二极管（Standard）
NE：N沟平面栅带ESDM：标准二极管、全电流规格（StandardFull）
T：FieldStop3和4R：快速二极管（Rapid）
U：FieldStop4+B：快速二极管、全电流规格（RapidFull）
V：FieldStop5S：超软二极管、全电流规格（SoftFull）
W：FieldStop5+
Y：FieldStop5++D：合封二极管
A：FieldStop6R：集成二极管（RCIGBT）
空：
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