士兰微代理商SVSP20NF60TD2深圳恒锐丰科技.pdf

士兰微电子SVSP20NF60TD2说明书

20A，600V超结MOS功率管

描述

2

SVSP20NF60TD2N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微

电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率1

转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP20NF60TD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。3

1.栅极2.漏极3.源极

特点

20A，600V，RDS(on)(典型值)=0.19@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷

1

2

定期额定雪崩3

较强dv/dt能力TO-220-3L

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVSP20NF60TD2TO-220-3LP20NF60TD2无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3

http://.cn共9页第1页

士兰微电子SVSP20NF60TD2说明书

极限参数（除非特殊说明，T=25C）

J

参数名称符号参数值单位

漏源电压VDS600V

栅源电压VGS±30V

T=25°C20

C

漏极电流IDA

T=100°C12

C

漏极脉冲电流（注1）IDM80A

耗散功率（T=25C）179W

C