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士兰微电子SGT50T65FD1PN/P7/PS/PT说明书
50A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGT50T65FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子最
1
新的第四代场截止（FieldStopIV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开G
关损耗，该产品可应用于电焊机、UPS，SMPS以及PFC等领域。
31
23TO-3P
E
特点
50A，650V，V典型值=2.2V@I=50A
CE(sat)()C
低导通损耗
12TO-3PN
快开关速度3
高输入阻抗
1212
33
TO-247-3L
TO-247S-3L
命名规则
SGT50T65FD1PN
士兰IGBT系列封装形式，如
PN：TO-3P
电流规格，如：
50表示50A等1,2,3：版本号
N：N沟平面栅空：标准二极管（Standard）
NE：N沟平面栅带ESDM：标准二极管、全电流规格（StandardFull）
T：FieldStop3和4R：快速二极管（Rapid）
U：FieldStop4+
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