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士兰微电子SVSP60R190FJD(D)(T)(P7)(L8A)(K)D4说明书

20A,600V超结MOS功率管

描述2

SVSP60R190FJD(D)(T)(P7)(L8A)(K)D4N沟道增强型高压功

率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损1123

TO-220-3L

耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

3D(2)

G(1)

S(3)

此外，SVSP60R190FJD(D)(T)(P7)(L8A)(K)D4应用广泛。如，适S(3)

1.栅极2.漏极3.源极S(3)

用于硬/软开关拓扑。DFN-4-8x8x0.85-2.0

特点

1

2

20A，600V，RDS(on)(typ.)=0.165@VGS=10V13TO-262-3L

23

创新高压技术TO-220FJD-3L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

1

3

较强的dv/dt能力1