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SVT077R5NT(D)(S)(KL)说明书
95A、68VN沟道增强型场效应管
描述
SVT077R5NT/D/S/KLN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用
士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
95A，68V，RDS(on)（典型值）6.5m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT077R5NTTO-220-3L077R5NT无铅料管
SVT077R5NDTRTO-252-2L077R5ND无卤编带
SVT077R5NSTO-263-2L077R5NS无卤料管
SVT077R5NSTRTO-263-2L077R5NS无卤编带
SVT077R5NKLTO-262L-3L077R5NKL无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.6
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SVT077R5NT(D)(S)(KL)说明书
极限参数（除非特殊说明，TC25C）
参数范围
参数符号单位
SVT077R5NT/S/KLSVT077R5ND
漏源电压VDS68V
栅源电压VGS±25V
T25°C95
C
漏极电流IDA
T100°C67
C
漏极脉冲电流IDM380A
耗散功率（T25C）150143W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少
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