原创力文档- 1、本文档共2页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
携的水质测定仪。
H‘VPE法生长GaN自支撑衬底性能特点：
项目”落户德泓·读数精度±1％，校准点±0．2％
·测量结果准确性高，重复性好
·KC1、NaC1和442TM3种预设校正模式
近El，中国科学院上海微系统与信息技术研
·自动温度补偿
究所与德泓(福建)光电科技有限公司正式签订
·自动偏移校正
《技术转让合同》和《技术开发协议书》，中国科
·耐用的全密封电路
学院上海微系统与信息技术研究所“HVPE法生
·防水
长GaN衬底技术”的所有知识产权．包括与此相
主要参数：
关的已授权和正在申请的专利以及双方认可的关
·测量范围
键技术全部转让给德泓光电：双方还就合作开展
电导：1-9999x／S
“HVPE法生长GaN自支撑衬底项目”事宜达成
TDS：ppm
一致。
盐度：0．001-9．999ppt
以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材
·精确度(湿度校正后)
料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材
读数±1％
料，在白光LED、短波长激光器、紫外探测器以
·读数稳定时间
及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。中国
10～20s
科学院上海微系统与信息技术研究所于广辉研究
·操作温度
员经过8年的研究，共获得相关发明专利授权
0～55℃
11项，另有3项已受理发明专利正在审查之中。
．夕形尺寸：15．87em(长)×1．91cm(直径)
多项技术处于国际先进水平。这些关键技术的应
标准配置：
用，可以大大降低GaN衬底材料的成本。
·PT1笔式电导率／，ID’S／盐分计
于广辉研究员说，该项研究成果一旦产业
·采集器
化，将大大降低大功率LED用GaN同质衬底成
·便携夹子
本，大大提高LED照明产品的性价比和综合优
文档评论（0）