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士兰微电子SGT10U60SDM2D说明书
10A、600V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGT10U60SDM2D绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4
Plus（FieldStopIV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产1
G
品可应用于UPS,SMPS，电机控制，以及PFC等领域。
特点
3
E
10A，600V，V典型值=1.65V@I=10A
CE(sat)()C
低导通损耗
快开关速度
1
高输入阻抗3
TO-252-2L
命名规则
SGT10U60SDM2D
士兰IGBT系列封装形式,如
电流规格,如:D:TO-252-3L
10表示10A等
1,2,3:版本号
N:N沟平面栅
NE:N沟平面栅带ESD空:标准二极管（Standard）
T:FieldStop3和4M:标准二极管、全电流规格（StandardFull）
U:FieldStop4+R:快速二极管（Rapid）
V:FieldStop5B:快速二极管、全电流规格（RapidFull）
W:FieldStop6S:超软二极管、全电流规格（SoftFull）
X:FieldStop7
D:合封二极管
电压规格，如:R:集成二极管（RCIGBT）
65表示650V
120表示1200V等
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