原创力文档- 1、本文档共8页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
SVT033R5NAT说明书
180A、30VN沟道增强型场效应管
描述
SVT033R5NATN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
180A，30V，RDS(on)（典型值）2.8m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT033R5NATTO-220HW-3L033R5NAT无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1
共8页第1页
SVT033R5NAT说明书
极限参数(除非特殊说明，TA25C)
参数符号参数值单位
漏源电压VDS30V
栅源电压VGS±20V
T25°C180
C
漏极电流IDA
T100°C114
C
漏极脉冲电流IDM720A
耗散功率（T25C）171.2W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少1.14
W/C
单脉冲雪崩能量（注1）EAS404mJ
工作结温范围
文档评论（0）