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摘要
硅基APD探测器是一种具有高灵敏度的光电器件，被广泛应用于许多激光对抗
领域，因此，开展激光辐照硅基APD探测器倍增效应影响的研究具有十分重要的意
义。本论文通过理论、仿真和实验对1064nm连续激光辐照硅基APD探测器产生的温
度、输出电流、暗电流、损伤形貌、C-V曲线、响应度和倍增因子等现象进行了研究，
并重点分析了不同激光参数与外置作用偏压对硅基APD探测器倍增因子的影响。
理论方面：通过对1064nm连续激光辐照硅基APD探测器过程中温度、电学参数
和倍增效应参数等变化过程
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