集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版) .pdfVIP

集成电路技术集成电路工艺原理试卷（练习题库）

1、用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。

2、单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为

（）。

3、晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。

4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、

（）、

清洗、检查和包装。

5、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、O

和（）。

6、CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

7、CZ直拉法的目的是（）。

8、影响CZ直拉法的两个主要参数是O和（）。

9、晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。

10、制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、O

0

11、热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。

77、多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。

78、阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。

79、关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。

80、传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。

81、溅射是个化学过程，而非物理过程。

82、表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。

83、化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。

84、平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没

有显著变化。

85、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。

86、电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。

87、在CMP为零的转换器。

133、CD是指硅片上的最小特征尺寸。

134、集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简

而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜

135、人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。

136、硅片制造厂可分为六个的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以

达到标准化。

137、世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。

138、集成电路是由Ki1by和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电

路的专利。

139、侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致

可能发生源漏穿通。

140、多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。

141、大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发

明的一种技术。

142、常用的半导体材料为何选择硅？

143、晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。

144、硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至

更大，其原因是什么？

145、化学气相沉积

146、物理气相沉积

147、溅射镀膜

148、蒸发镀膜

149、替位式扩散

150、间隙式扩散

12»

151、有限表面源扩散

152、恒定表面源扩散

153、横向扩散

154、保形覆盖

155、简述两步扩散的含义与目的？

156、扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？

与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各

157、简述离子注入工艺中退火的主要作用？

158、简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

159、简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二

氧化硅层？

160、与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？

161、说明APCVD1PCVDPECVD各自的含义及特点。

162、简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解

释各种方式的详细内容。

163、光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角

度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝

164、引线键合技术的分类及结构特点？

165、载带自动焊的分类及结构特点？

166、载带自动焊的关键技术有哪些？

167、倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？

168、比较各种芯片互联方法的优缺点？

169、埋层芯片互联一后布线技术的结构特点及发展趋势？

170、插装元器件的结构特点及应用？

171、插装元器件与表面贴装元器件主