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半导体器件的欧姆接触优化考核试卷

考生姓名：________________答题日期：________________得分：_________________判

卷人：_________________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.欧姆接触主要用于以下哪种半导体器件？()

A.二极管

B.三极管

C.场效应晶体管

D.集成电路

2.下列哪种材料最适合用作硅器件的欧姆接触金属？()

A.铝

B.铅

C.金

D.硅

3.欧姆接触形成的本质是：()

A.金属与半导体的电荷转移

B.金属与半导体之间的化学键结合

C.金属与半导体之间的热力学平衡

D.金属与半导体之间的扩散

4.在欧姆接触中，理想情况下接触电阻率应该是：()

A.高于半导体电阻率

B.低于半导体电阻率

C.等于半导体电阻率

D.无关半导体电阻率

5.以下哪种方法可以优化欧姆接触的性能？()

A.提高掺杂浓度

B.降低掺杂浓度

C.增加接触面积

D.减小接触面积

6.欧姆接触的接触面积对接触电阻的影响是：()

A.面积越大，接触电阻越小

B.面积越小，接触电阻越小

C.面积与接触电阻无关

D.面积通过改变界面态影响接触电阻

7.在半导体器件中，欧姆接触的热处理过程主要是为了：()

A.改善金属与半导体之间的浸润性

B.减少表面缺陷

C.促进合金形成

D.降低界面复合

8.对于n型硅半导体，以下哪种金属与硅形成的欧姆接触电阻最小？()

A.铝

B.镍

C.铅

D.钨

9.下列哪种因素不会影响欧姆接触的性能？()

A.接触金属的功函数

B.半导体的掺杂类型

C.接触面积

D.环境湿度

10.在欧姆接触的制作过程中，以下哪种处理方法可以减少表面复合？()

A.光刻

B.离子注入

C.化学气相沉积

D.热处理

11.欧姆接触的接触电阻与以下哪项因素无关？()

A.接触金属的种类

B.接触面积

C.半导体的掺杂浓度

D.环境温度

12.优化欧姆接触的方法中，以下哪项是错误的？()

A.选择合适的金属

B.控制热处理温度和时间

C.增加接触面积

D.提高半导体表面粗糙度

13.以下哪种金属通常用于形成Schottky接触而非欧姆接触？()

A.铝

B.镍

C.铂

D.钛

14.欧姆接触中的主要载流子是：()

A.电子

B.空穴

C.离子

D.电子和空穴

15.以下哪种方法通常用于测量欧姆接触的接触电阻？()

A.四点探针法

B.霍尔效应法

C.I-V特性曲线

D.C-V特性曲线

16.在欧姆接触中，如果金属的功函数大于半导体的费米势，将形成：()

A.亲电子接触

B.亲空穴接触

C.Schottky接触

D.欧姆接触

17.以下哪种情况下欧姆接触效果最佳？()

A.接触金属与半导体具有相似的功函数

B.接触金属的功函数远大于半导体的费米势

C.接触金属的功函数远小于半导体的费米势

D.接触金属的功函数与半导体的费米势无关

18.为了减少欧姆接触的电阻，以下哪种方法不可取？()

A.使用高功函数金属

B.增加掺杂浓度

C.采用合金接触

D.减小接触面积

19.在制作欧姆接触时，以下哪种条件会导致高的接触电阻？()

A.接触面积大

B.掺杂浓度高

C.热处理温度低

D.金属与半导体间浸润性好

20.下列哪种现象不会出现在优化的欧姆接触中？()

A.低接触电阻

B.高电导率

C.界面缺陷密度高

D.良好的金属-半导体浸润性

（结束）

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.以下哪些因素会影响欧姆接触的性能？()

A.接触金属的功函数

B.半导体的掺杂浓度

C.接触面积

D.所有以上选项

2.欧姆接触与Schottky接触的主要区别包括：()

A.接触金属的选择

B.功函数的差异

C.接触电阻的大小

D.A和B

3.以下哪些方法可以用于改善欧姆接触的质量？()

A.选择合适的金属

B.优化热处理工艺

C.减少半导体表面缺陷

D.所有以上选项

4.欧