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半导体物理练习题

一、选择填空（含多项选择）1.与半导体相比较，绝缘体的价带

电子激发到导带所需的能量（）A.比半导体的大B.比半导体的小C.

与半导体的相等

2.室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm－3，同时掺有浓度

为1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（），空穴浓度为（），

费米能级（）；将该半导体升温至570K，则多子浓度约为（），少子

浓度为（），费米能级（）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，

570K时，ni≈2×1017cm－3）A.1014cm－3C.1.1×1015cm－3E.

1.2×1015cm－3G.高于EiI.等于Ei3.施主杂质电离后向半导体提供

（），受主杂质电离后向半导体提供（），本征激发后向半导体提供

（）。A.空穴B.电子B.1015cm－3D.2.25×1015cm－3F.

2×1017cm－3H.低于Ei

4.对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（）本

征流子浓度，（），功函数（）。A.增加B.不变C.减少

5.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将

导致（）靠近Ei。A.EcB.EvC.EgD.Ef

6.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与

（）有关，而与（）无关。A.杂质浓度B.杂质类型C.禁带宽度D.

温度

7.表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）。

A.施主态

B.受主态

C.电中性

8.当施主能级Ed与费米能级Ef相等时，电离施主的浓度为施主

浓度的（）倍。A.1B.1/2C.1/3D.1/4

9.最有效的复合中心能级位置在（）附近；最有利陷阱作用的能

级位置在（）附近，常见的是（）的陷阱A.EaB.EdC.ED.EiE.少

子F.多子

10.载流子的扩散运动产生（）电流，漂移运动长生（）电流。A.

漂移B.隧道C.扩散

11.MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的

（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。A.相同二、思考题1.

简述有效质量与能带结构的关系。2.为什么半导体满带中的少量空状

态可以用带有正电荷和具有一定质量的空穴来描述？3.分析化合物半

导体PbS中S的间隙原子是形成施主还是受主？S的缺陷呢？4.说明

半导体中浅能级杂质、深能级杂质的作用有何不同？5.为什么Si半导

体器件的工作温度比Ge半导体器件的工作温度高？你认为在高温条

件下工作的半导体应满足什么条件工厂生产超纯Si的室温电阻率总是

夏天低，冬天高。试解释其原因。6.试解释强电场作用下GaAs的负

阻现象。7.稳定光照下，半导体中的电子和空穴浓度维持不变，半

导体处于平衡状态下吗？为什么？8.爱因斯坦关系是什么样的关系？

有何物理意义？B.不同C.增加D.减少

9.怎样才能使得n型硅与金属铝接触才能分别实现欧姆接触和整

流接触？

综合练习题二一、选择填空1.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体起施主作用

的缺陷是（）。A.正离子填隙B.正离子缺位C.负离子填隙

2.下列哪个参数不能由霍尔效应确定（）A.迁移率μB.载流子浓

度扩的方向是（）。B.电子扩散方向C.电子浓度梯度方向C.有效质

量m*

3.非平衡电子的扩散电流密度A.流密度Sn的方向

4.有效陷阱中心的能级接近（）能级。A.禁带中心能级B.施主或

受主能级C.费米能级

5.在强电离区，N型半导体的费米能级位于（）A.高于施主能级

B.低于施主能级C.等于施主能级

6.在强电场下，随电场的增加，GaAs中载流子的平均漂移速率是

（）A.增加B.减少C.不变

7.直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命τd主要

决定于（）。A.B.C.

8.N型半导体的霍尔系数随