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一、简答题：

1.集成电路的分类

按其处理信号的种类不同可分为：模拟集成电路和数字集成电路两大类。

按其制作工艺不同可分为：半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。

按集成度高低不同可分为：小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。

按导电类型不同可分为：双极型集成电路和单极型集成电路两类

2.用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念。

微电子学是一门综合性很强的边缘学科，涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科

学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科

微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向

微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统

(MEMS)、生物芯片等.。

集成电路（integratedcircuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、

二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然

后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电

子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步

3.什么是半导体？并说明半导体的特点，列举几种常用的半导体材料？

导电能力介于绝缘体和导体之间

温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降（负的温度系数）

微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力（电阻率对杂质极其敏感）

适当波长的光照可以改变半导体的导电能力（光敏特性）

有比金属大得多的温差电效应

金属运输电流的载流子是电子，而半导体有两种：电子、空穴

GeSiGaAsInSbSiC

4.解释掺杂、施主/受主、P型/N型半导体的概念

掺杂：电子摆脱共价键所需的能量，在一般情况下，是靠晶体内部原子本身的热运动提供的。常温下，硅

里面由于热运动激发价健上电子而产生的电子和空穴很少，它们对硅的导电性的影响是十分微小的。室温

下半导体的导电性主要由掺入半导体中的微量的杂质（简称掺杂）来决定，这是半导体能够制造各种器件

的重要原因。

施主：Donor，掺入半导体的杂质原子向半导体中

提供导电的电子，并成为带正电的离子。如

Si中掺的P和As（最外层有5个价电子）

受主：Acceptor，掺入半导体的杂质原子向半导体中

提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如

Si中掺的B(硼）（最外层只有3个价电子）

N型半导体：n大于p（如在硅中掺入五价杂质）导电以电子为主

P型半导体：p大于n（如在硅中掺入三价杂质）导电以空穴为主

5.用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性能的差异。

6.名词解释：载流子、迁移率

半导体中的载流子：在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）

均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，

形成电流。

q



迁移率：单位电场作用下载流子获得平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力

m

7.解释PN节的单向导电性

载流子漂移(电流)和扩散(电流)过程保持平衡(相等)，形成自建场和自建势在PN结上外加一电压，如果P

型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间

电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴

和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。

8.双极晶体管工作原理，基本结构，直流特性

工作原理：当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的时，发射区向基区注入电子，当基区宽度远小于电子

扩散的长度，则发射区注入的电子只有少部分被复合，大